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Synopsis
VLSI Fabrication Principles Integrating discussion of elemental (silicon) and compound (gallium arsenide) technologies, this monograph explains why the two materials are particularly suited to Very Large Scale Integrated (VLSI) schemes. The fabrication principles for circuits such as CMOS, MOS and PET are emphasized.
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Présentation de l'éditeur
Fully updated with the latest technologies, this edition covers the fundamental principles underlying fabrication processes for semiconductor devices along with integrated circuits made from silicon and gallium arsenide. Stresses fabrication criteria for such circuits as CMOS, bipolar, MOS, FET, etc. These diverse technologies are introduced separately and then consolidated into complete circuits.
An Instructor′s Manual presenting detailed solutions to all the problems in the book is available from the Wiley editorial department.
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- ÉditeurWiley-Interscience
- Date d'édition1994
- ISBN 10 0471580058
- ISBN 13 9780471580058
- ReliureRelié
- Numéro d'édition2
- Nombre de pages864
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide, 2nd Edition
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Wiley-Interscience (edition Subsequent), 1994
ISBN 10 : 0471580058
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide
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Wiley-Interscience, 1994
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide, 2nd Edition
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Wiley-Interscience, 1994
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide, 2nd Edition
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Wiley, 1994
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide, 2nd Edition
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Wiley-Interscience, 1994
ISBN 10 : 0471580058
ISBN 13 : 9780471580058
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Hardcover. Etat : Good. Fully updated with the latest technologies, this edition covers thefundamental principles underlying fabrication processes forsemiconductor devices along with integrated circuits made fromsilicon and gallium arsenide. Stresses fabrication criteria forsuch circuits as CMOS, bipolar, MOS, FET, etc. These diversetechnologies are introduced separately and then consolidated intocomplete circuits.An Instructor\'s Manual presenting detailed solutions to all theproblems in the book is available from the Wiley editorialdepartment. N° de réf. du vendeur AMPLE0471580058
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VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide, 2nd Edition
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Wiley-Interscience, 1994
ISBN 10 : 0471580058
ISBN 13 : 9780471580058
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