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Robust SRAM Designs and Analysis - Couverture souple

 
9781493902446: Robust SRAM Designs and Analysis

Synopsis

This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Since process variability is an ongoing challenge in large memory arrays, this book highlights the most popular SRAM bitcell topologies (benchmark circuits) that mitigate variability, along with exhaustive analysis. Experimental simulation setups are also included, which cover nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis. Emphasis is placed throughout the book on the various trade-offs for achieving a best SRAM bitcell design.

  • Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysis;
  • Offers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis;
  • Includes simulation set-ups for extracting different design metrics for CMOS technology and emerging devices;
  • Emphasizes different trade-offs for achieving the best possible SRAM bitcell design.

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Présentation de l'éditeur

This guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis meets the nano-regime challenges for CMOS devices and such emerging devices as Tunnel FETs. Offers popular SRAM bitcell topologies that mitigate variability, plus exhaustive analysis.

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9781461408178: Robust SRAM Designs and Analysis

Edition présentée

ISBN 10 :  1461408172 ISBN 13 :  9781461408178
Editeur : Springer, 2012
Couverture rigide

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Image d'archives

Singh, Jawar; Mohanty, Saraju P.; Pradhan, Dhiraj K.
Edité par Springer, 2014
ISBN 10 : 149390244X ISBN 13 : 9781493902446
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Singh, Jawar; Mohanty, Saraju P.; Pradhan, Dhiraj
Edité par Springer, 2014
ISBN 10 : 149390244X ISBN 13 : 9781493902446
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Singh, Jawar
Edité par Springer, 2014
ISBN 10 : 149390244X ISBN 13 : 9781493902446
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Edité par Springer, 2014
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Singh, Jawar; Mohanty, Saraju P.; Pradhan, Dhiraj
Edité par Springer, 2014
ISBN 10 : 149390244X ISBN 13 : 9781493902446
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Singh, Jawar
Edité par Springer 2014-08, 2014
ISBN 10 : 149390244X ISBN 13 : 9781493902446
Neuf PF

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Jawar Singh
ISBN 10 : 149390244X ISBN 13 : 9781493902446
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Paperback. Etat : new. Paperback. This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Since process variability is an ongoing challenge in large memory arrays, this book highlights the most popular SRAM bitcell topologies (benchmark circuits) that mitigate variability, along with exhaustive analysis. Experimental simulation setups are also included, which cover nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis. Emphasis is placed throughout the book on the various trade-offs for achieving a best SRAM bitcell design.Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysis; Offers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis;Includes simulation set-ups for extracting different design metrics for CMOS technology and emerging devices;Emphasizes different trade-offs for achieving the best possible SRAM bitcell design. This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability. N° de réf. du vendeur 9781493902446

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Jawar Singh
Edité par Springer New York Aug 2014, 2014
ISBN 10 : 149390244X ISBN 13 : 9781493902446
Neuf Taschenbuch
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Since process variability is an ongoing challenge in large memory arrays, this book highlights the most popular SRAM bitcell topologies (benchmark circuits) that mitigate variability, along with exhaustive analysis. Experimental simulation setups are also included, which cover nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis. Emphasis is placed throughout the book on the various trade-offs for achieving a best SRAM bitcell design.Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysis; Offers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis;Includes simulation set-ups for extracting different design metrics for CMOS technology and emerging devices;Emphasizes different trade-offs for achieving the best possible SRAM bitcell design. 180 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9781493902446

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Jawar Singh
ISBN 10 : 149390244X ISBN 13 : 9781493902446
Neuf Paperback / softback
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Vendeur : THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Royaume-Uni

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Jawar Singh|Saraju P. Mohanty|Dhiraj K. Pradhan
Edité par Springer New York, 2014
ISBN 10 : 149390244X ISBN 13 : 9781493902446
Neuf Kartoniert / Broschiert
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Vendeur : moluna, Greven, Allemagne

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Kartoniert / Broschiert. Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysisOffers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysisIncludes simulation set-ups for extract. N° de réf. du vendeur 4213733

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