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De Allemagne vers Etats-Unis
Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -El libro presenta el desarrollo de un modelo matemático a partir de teoría electromagnética para el diseño de antenas de arreglos de fase tipo lente RADANT utilizando conmutadores diodos p-i-n y dispositivos MEMS. Utilizando el matemático desarrollado, se diseñó una lente RADANT de 3 bits con diodos p-i-n para la banda X. La lente diseñada para 10 GHz tiene sector de escaneo de 62 grados en el plano E y 16 grados en el plano H con coeficientes de conversión mejores a -2.3dB y -4dB, respectivamente. La lente de 3 bits diseñada para la banda Ka demostró los sectores de escaneo teóricos de 62 grados en el plano E y de 12.6 grados en el plano H con coeficientes de conversión superiores a -2dB y -3.4dB, respectivamente, en un ancho de banda de 4GHz. La sustitución de los diodos p-i-n por conmutadores MEMS resultó en aumento de coeficiente de conversión teórico en 0.43dB para la lente operando en la banda X. Para mejorar las características de escaneo en el plano H modificamos el diseño de lente RADANT en la banda X. Como resultado, el sector de escaneo de la lente modificada aumentó 1.75 veces. El modelo matemático fue verificado experimentalmente. 184 pp. Spanisch. N° de réf. du vendeur 9783659656804
Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - El libro presenta el desarrollo de un modelo matemático a partir de teoría electromagnética para el diseño de antenas de arreglos de fase tipo lente RADANT utilizando conmutadores diodos p-i-n y dispositivos MEMS. Utilizando el matemático desarrollado, se diseñó una lente RADANT de 3 bits con diodos p-i-n para la banda X. La lente diseñada para 10 GHz tiene sector de escaneo de 62 grados en el plano E y 16 grados en el plano H con coeficientes de conversión mejores a -2.3dB y -4dB, respectivamente. La lente de 3 bits diseñada para la banda Ka demostró los sectores de escaneo teóricos de 62 grados en el plano E y de 12.6 grados en el plano H con coeficientes de conversión superiores a -2dB y -3.4dB, respectivamente, en un ancho de banda de 4GHz. La sustitución de los diodos p-i-n por conmutadores MEMS resultó en aumento de coeficiente de conversión teórico en 0.43dB para la lente operando en la banda X. Para mejorar las características de escaneo en el plano H modificamos el diseño de lente RADANT en la banda X. Como resultado, el sector de escaneo de la lente modificada aumentó 1.75 veces. El modelo matemático fue verificado experimentalmente. N° de réf. du vendeur 9783659656804
Description du livre Etat : New. N° de réf. du vendeur 156523474
Description du livre Paperback. Etat : Brand New. 184 pages. Spanish language. 8.66x5.91x0.42 inches. In Stock. N° de réf. du vendeur zk3659656801