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Semiconductor Equations - Couverture souple

 
9783709174524: Semiconductor Equations
  • ÉditeurSpringer
  • Date d'édition2011
  • ISBN 10 370917452X
  • ISBN 13 9783709174524
  • ReliureBroché
  • Nombre de pages268

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Edité par Springer, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
Ancien ou d'occasion Couverture rigide Edition originale

Vendeur : La bataille des livres, Pradinas, France

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Etat : Très Bon. Edition originale de 1990. Springer, 1990. In-8° cartonné, 248p. Couverture propre. Dos solide. Intérieur frais sans soulignage ou annotation. Exemplaire de bibliothèque : petit code barre en pied de 1re de couv., cotation au dos, rares et discrets petits tampons à l'intérieur de l'ouvrage. Très bon état général pour cet ouvrage [BA16+]. N° de réf. du vendeur 99-65EG-PH7D

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Markowich, Peter A.
Edité par Springer 2011-09, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
Neuf PF

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Markowich, P. A.; Ringhofer, C. A.; Schmeiser, C.
Edité par Springer, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
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Markowich, Peter A. A.; Ringhofer, Christian A.; Schmeiser, Christian
Edité par Springer, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
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Peter A. Markowich
Edité par Springer Vienna Sep 2011, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
Neuf Taschenbuch
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Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Allemagne

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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In recent years the mathematical modeling of charge transport in semi conductors has become a thriving area in applied mathematics. The drift diffusion equations, which constitute the most popular model for the simula tion of the electrical behavior of semiconductor devices, are by now mathe matically quite well understood. As a consequence numerical methods have been developed, which allow for reasonably efficient computer simulations in many cases of practical relevance. Nowadays, research on the drift diffu sion model is of a highly specialized nature. It concentrates on the explora tion of possibly more efficient discretization methods (e.g. mixed finite elements, streamline diffusion), on the improvement of the performance of nonlinear iteration and linear equation solvers, and on three dimensional applications. The ongoing miniaturization of semiconductor devices has prompted a shift of the focus of the modeling research lately, since the drift diffusion model does not account well for charge transport in ultra integrated devices. Extensions of the drift diffusion model (so called hydrodynamic models) are under investigation for the modeling of hot electron effects in submicron MOS-transistors, and supercomputer technology has made it possible to employ kinetic models (semiclassical Boltzmann-Poisson and Wigner Poisson equations) for the simulation of certain highly integrated devices. 268 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783709174524

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Peter A. Markowich
Edité par Springer Vienna, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
Neuf Taschenbuch

Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Allemagne

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Taschenbuch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In recent years the mathematical modeling of charge transport in semi conductors has become a thriving area in applied mathematics. The drift diffusion equations, which constitute the most popular model for the simula tion of the electrical behavior of semiconductor devices, are by now mathe matically quite well understood. As a consequence numerical methods have been developed, which allow for reasonably efficient computer simulations in many cases of practical relevance. Nowadays, research on the drift diffu sion model is of a highly specialized nature. It concentrates on the explora tion of possibly more efficient discretization methods (e.g. mixed finite elements, streamline diffusion), on the improvement of the performance of nonlinear iteration and linear equation solvers, and on three dimensional applications. The ongoing miniaturization of semiconductor devices has prompted a shift of the focus of the modeling research lately, since the drift diffusion model does not account well for charge transport in ultra integrated devices. Extensions of the drift diffusion model (so called hydrodynamic models) are under investigation for the modeling of hot electron effects in submicron MOS-transistors, and supercomputer technology has made it possible to employ kinetic models (semiclassical Boltzmann-Poisson and Wigner Poisson equations) for the simulation of certain highly integrated devices. N° de réf. du vendeur 9783709174524

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Peter A. Markowich
Edité par Springer, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
Neuf Couverture souple
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Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-Uni

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Etat : New. PRINT ON DEMAND Book; New; Fast Shipping from the UK. No. book. N° de réf. du vendeur ria9783709174524_lsuk

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Markowich, P. A.; Ringhofer, C. A.; Schmeiser, C.
Edité par Springer, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
Ancien ou d'occasion Couverture souple

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Etat : As New. Unread book in perfect condition. N° de réf. du vendeur 20190249

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"Markowich, Peter A.", "Ringhofer, Christian A.", "Schmeiser, Christian"
Edité par Springer, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
Neuf Soft Cover

Vendeur : booksXpress, Bayonne, NJ, Etats-Unis

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Soft Cover. Etat : new. N° de réf. du vendeur 9783709174524

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Markowich, P. A.; Ringhofer, C. A.; Schmeiser, C.
Edité par Springer, 2011
ISBN 10 : 370917452X ISBN 13 : 9783709174524
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Vendeur : GreatBookPricesUK, Castle Donington, DERBY, Royaume-Uni

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