Croissance des structures InGaAs/GaAs par EPVOM: Propriétés structurales et optiques (French Edition)

 
9783838189628: Croissance des structures InGaAs/GaAs par EPVOM: Propriétés structurales et optiques (French Edition)

L'élaboration des couches InGaAs de bonne qualité sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l'optimisation des conditions et des paramètres de croissance. La réflectométrie laser (632.8 nm) présente une solution adéquate permettent le suivi in situ de l'épitaxie. La modélisation des signaux de réflectivité permet la détermination de certains paramètres tels que les constantes optiques et les épaisseurs des matériaux. L'utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x à haute résolution aide à une meilleure compréhension des propriétés optiques, morphologiques et structurales des hétérostructures à base d'InGaAs/GaAs. Cette étude constitue un prélude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) grâce à leur intérêt particulier dans la réalisation des dispositifs en optoélectronique. De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour étudier les contraintes, le phénomène de ségrégation et les structures quantiques. Cet ouvrage s'adresse aux étudiants des troisièmes cycles universitaires ainsi qu'aux chercheurs et ingénieurs se perfectionnant dans ce domaine.

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About the Author :

Mohamed Mourad HABCHI, Docteur en physique, enseigne à la Faculté des Sciences de Monastir (FSM), Université de Monastir, Tunisie. Il est aussi membre de l’Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications à la FSM. Il s’intéresse à l’étude des propriétés physiques des hétérostructures à base des composés III-V.

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Habchi, Mohamed Mourad
ISBN 10 : 3838189620 ISBN 13 : 9783838189628
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Description du livre État : New. Publisher/Verlag: Presses Académiques Francophones | Propriétés structurales et optiques | L'élaboration des couches InGaAs de bonne qualité sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l'optimisation des conditions et des paramètres de croissance. La réflectométrie laser (632.8 nm) présente une solution adéquate permettent le suivi in situ de l'épitaxie. La modélisation des signaux de réflectivité permet la détermination de certains paramètres tels que les constantes optiques et les épaisseurs des matériaux. L'utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x à haute résolution aide à une meilleure compréhension des propriétés optiques, morphologiques et structurales des hétérostructures à base d'InGaAs/GaAs. Cette étude constitue un prélude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) grâce à leur intérêt particulier dans la réalisation des dispositifs en optoélectronique. De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour étudier les contraintes, le phénomène de ségrégation et les structures quantiques. Cet ouvrage s'adresse aux étudiants des troisièmes cycles universitaires ainsi qu'aux chercheurs et ingénieurs se perfectionnant dans ce domaine. | Format: Paperback | Language/Sprache: fre | 172 pp. N° de réf. du libraire K9783838189628

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Mohamed Mourad Habchi
Edité par PAF Jul 2012 (2012)
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Description du livre PAF Jul 2012, 2012. Taschenbuch. État : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - L'élaboration des couches InGaAs de bonne qualité sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l'optimisation des conditions et des paramètres de croissance. La réflectométrie laser (632.8 nm) présente une solution adéquate permettent le suivi in situ de l'épitaxie. La modélisation des signaux de réflectivité permet la détermination de certains paramètres tels que les constantes optiques et les épaisseurs des matériaux. L'utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x à haute résolution aide à une meilleure compréhension des propriétés optiques, morphologiques et structurales des hétérostructures à base d'InGaAs/GaAs. Cette étude constitue un prélude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) grâce à leur intérêt particulier dans la réalisation des dispositifs en optoélectronique. De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour étudier les contraintes, le phénomène de ségrégation et les structures quantiques. Cet ouvrage s'adresse aux étudiants des troisièmes cycles universitaires ainsi qu'aux chercheurs et ingénieurs se perfectionnant dans ce domaine. 172 pp. Französisch. N° de réf. du libraire 9783838189628

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Description du livre PAF, 2012. Paperback. État : New. Aufl.. Language: French . Brand New Book. L élaboration des couches InGaAs de bonne qualité sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l optimisation des conditions et des paramètres de croissance. La réflectométrie laser (632.8 nm) présente une solution adéquate permettent le suivi in situ de l épitaxie. La modélisation des signaux de réflectivité permet la détermination de certains paramètres tels que les constantes optiques et les épaisseurs des matériaux. L utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x à haute résolution aide à une meilleure compréhension des propriétés optiques, morphologiques et structurales des hétérostructures à base d InGaAs/GaAs. Cette étude constitue un prélude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) grâce à leur intérêt particulier dans la réalisation des dispositifs en optoélectronique. De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour étudier les contraintes, le phénomène de ségrégation et les structures quantiques. Cet ouvrage s adresse aux étudiants des troisièmes cycles universitaires ainsi qu aux chercheurs et ingénieurs se perfectionnant dans ce domaine. N° de réf. du libraire KNV9783838189628

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