Croissance des structures ingaas/gaas par epvom - Couverture souple

HABCHI-M

9783838189628: Croissance des structures ingaas/gaas par epvom

Couverture souple

ISBN 10 : 3838189620 ISBN 13 : 9783838189628

Editeur : Acad�miques, 2018

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Pr�sentation de l'�diteur :

L'�laboration des couches InGaAs de bonne qualit� sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l'optimisation des conditions et des param�tres de croissance. La r�flectom�trie laser (632.8 nm) pr�sente une solution ad�quate permettent le suivi in situ de l'�pitaxie. La mod�lisation des signaux de r�flectivit� permet la d�termination de certains param�tres tels que les constantes optiques et les �paisseurs des mat�riaux. L'utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x � haute r�solution aide � une meilleure compr�hension des propri�t�s optiques, morphologiques et structurales des h�t�rostructures � base d'InGaAs/GaAs. Cette �tude constitue un pr�lude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) gr�ce � leur int�r�t particulier dans la r�alisation des dispositifs en opto�lectronique. De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour �tudier les contraintes, le ph�nom�ne de s�gr�gation et les structures quantiques. Cet ouvrage s'adresse aux �tudiants des troisi�mes cycles universitaires ainsi qu'aux chercheurs et ing�nieurs se perfectionnant dans ce domaine.

Biographie de l'auteur :

Mohamed Mourad HABCHI, Docteur en physique, enseigne � la Facult� des Sciences de Monastir (FSM), Universit� de Monastir, Tunisie. Il est aussi membre de l’Unit� de Recherche sur les H�t�ro-Epitaxies et Applications � la FSM. Il s’int�resse � l’�tude des propri�t�s physiques des h�t�rostructures � base des compos�s III-V.

Les informations fournies dans la section � A propos du livre � peuvent faire r�f�rence � une autre �dition de ce titre.

�diteurAcad�miques
Date d'�dition2018
ISBN 10 3838189620
ISBN 13 9783838189628
ReliureBroch�
Nombre de pages162

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Croissance des structures InGaAs/GaAs par EPVOM

Mohamed Mourad Habchi

Edit� par Presses Acad�miques Francophones Jul 2012 (2012)

ISBN 10 : 3838189620 ISBN 13 : 9783838189628

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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -L'�laboration des couches InGaAs de bonne qualit� sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l'optimisation des conditions et des param�tres de croissance. La r�flectom�trie laser (632.8 nm) pr�sente une solution ad�quate permettent le suivi in situ de l'�pitaxie. La mod�lisation des signaux de r�flectivit� permet la d�termination de certains param�tres tels que les constantes optiques et les �paisseurs des mat�riaux. L'utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x � haute r�solution aide � une meilleure compr�hension des propri�t�s optiques, morphologiques et structurales des h�t�rostructures � base d'InGaAs/GaAs. Cette �tude constitue un pr�lude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) gr�ce � leur int�r�t particulier dans la r�alisation des dispositifs en opto�lectronique. De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour �tudier les contraintes, le ph�nom�ne de s�gr�gation et les structures quantiques. Cet ouvrage s'adresse aux �tudiants des troisi�mes cycles universitaires ainsi qu'aux chercheurs et ing�nieurs se perfectionnant dans ce domaine. 172 pp. Franz�sisch. N� de r�f. du vendeur 9783838189628

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Croissance des structures InGaAs/GaAs par EPVOM : Propri�t�s structurales et optiques

Mohamed Mourad Habchi

Edit� par Presses Acad�miques Francophones (2012)

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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - L'�laboration des couches InGaAs de bonne qualit� sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l'optimisation des conditions et des param�tres de croissance. La r�flectom�trie laser (632.8 nm) pr�sente une solution ad�quate permettent le suivi in situ de l'�pitaxie. La mod�lisation des signaux de r�flectivit� permet la d�termination de certains param�tres tels que les constantes optiques et les �paisseurs des mat�riaux. L'utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x � haute r�solution aide � une meilleure compr�hension des propri�t�s optiques, morphologiques et structurales des h�t�rostructures � base d'InGaAs/GaAs. Cette �tude constitue un pr�lude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) gr�ce � leur int�r�t particulier dans la r�alisation des dispositifs en opto�lectronique. De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour �tudier les contraintes, le ph�nom�ne de s�gr�gation et les structures quantiques. Cet ouvrage s'adresse aux �tudiants des troisi�mes cycles universitaires ainsi qu'aux chercheurs et ing�nieurs se perfectionnant dans ce domaine. N� de r�f. du vendeur 9783838189628

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