Etude d'un modulateur électro-optique en SiGe/Si: Conception et réalisation d'une structure de multipuits quantiques SiGe/Si à dopage modulé sur ... à 1,3 µm (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

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9786131540257: Etude d'un modulateur électro-optique en SiGe/Si: Conception et réalisation d'une structure de multipuits quantiques SiGe/Si à dopage modulé sur ... à 1,3 µm (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)

Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la ?lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a?n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in?uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef?cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension.

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About the Author :

Arnaud Cordat est né en France en 1975. Après des études d'ingénieur physicien, il soutient une thèse en optoélectronique à l'Université Paris XI en 2002. Il est ensuite recruté par Sagem au laboratoire de développement des imageurs infrarouge. Depuis 2009, il dirige l'équipe de développement et support à la fabrication sur cette technologie.

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Cordat-A
Edité par Univ Europeenne, United States (2011)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
Neuf(s) Paperback Quantité : 10
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Description du livre Univ Europeenne, United States, 2011. Paperback. État : New. Language: French . This book usually ship within 10-15 business days and we will endeavor to dispatch orders quicker than this where possible. Brand New Book. Les travaux presentes participent au developpement de composants optoelectroniques dans la liere silicium s appuyant sur les procedes microelectroniques. Ils presentent l etude d un modulateur de lumiere a la longueur d onde de 1,3 microns, base sur une structure de multipuits SiGe/Si a dopage module sur substrat silicium sur isolant. La structure est placee dans la region intrinseque d une jonction pin a n de controler la densite de trous dans les puits SiGe par l application d une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d indice de refraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L ecriture d un outil de simulation exploite en plans d experiences a permis de determiner les in uences respectives des parametres de la structure sur l ef cacite du dispositif. Les etapes technologiques ont ete validees sur des composants de test. Les mesures capacite-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en coherence avec la simulation numerique. La modulation optique a ete mise en evidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l application d une tension. N° de réf. du libraire OMN9786131540257

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Cordat-A
Edité par Univ Europeenne 2011-02-14 (2011)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
Neuf(s) paperback Quantité : > 20
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Description du livre Univ Europeenne 2011-02-14, 2011. paperback. État : New. N° de réf. du libraire 9786131540257

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Cordat-A
Edité par Univ Europeenne, United States (2011)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
Neuf(s) Paperback Quantité : 1
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(London, Royaume-Uni)
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Description du livre Univ Europeenne, United States, 2011. Paperback. État : New. Language: French . Brand New Book. Les travaux presentes participent au developpement de composants optoelectroniques dans la liere silicium s appuyant sur les procedes microelectroniques. Ils presentent l etude d un modulateur de lumiere a la longueur d onde de 1,3 microns, base sur une structure de multipuits SiGe/Si a dopage module sur substrat silicium sur isolant. La structure est placee dans la region intrinseque d une jonction pin a n de controler la densite de trous dans les puits SiGe par l application d une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d indice de refraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L ecriture d un outil de simulation exploite en plans d experiences a permis de determiner les in uences respectives des parametres de la structure sur l ef cacite du dispositif. Les etapes technologiques ont ete validees sur des composants de test. Les mesures capacite-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en coherence avec la simulation numerique. La modulation optique a ete mise en evidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l application d une tension. N° de réf. du libraire KNV9786131540257

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Cordat-A
Edité par Univ Europeenne, United States (2011)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
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Description du livre Univ Europeenne, United States, 2011. Paperback. État : New. Language: French . Brand New Book. Les travaux presentes participent au developpement de composants optoelectroniques dans la liere silicium s appuyant sur les procedes microelectroniques. Ils presentent l etude d un modulateur de lumiere a la longueur d onde de 1,3 microns, base sur une structure de multipuits SiGe/Si a dopage module sur substrat silicium sur isolant. La structure est placee dans la region intrinseque d une jonction pin a n de controler la densite de trous dans les puits SiGe par l application d une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d indice de refraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L ecriture d un outil de simulation exploite en plans d experiences a permis de determiner les in uences respectives des parametres de la structure sur l ef cacite du dispositif. Les etapes technologiques ont ete validees sur des composants de test. Les mesures capacite-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en coherence avec la simulation numerique. La modulation optique a ete mise en evidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l application d une tension. N° de réf. du libraire KNV9786131540257

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CORDAT-A
Edité par OmniScriptum (2016)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
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Description du livre OmniScriptum, 2016. Paperback. État : New. PRINT ON DEMAND Book; New; Publication Year 2016; Not Signed; Fast Shipping from the UK. No. book. N° de réf. du libraire ria9786131540257_lsuk

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Arnaud Cordat
Edité par Omniscriptum (2015)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
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Arnaud Cordat
Edité par Omniscriptum (2011)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
Neuf(s) Quantité : > 20
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Description du livre Omniscriptum, 2011. PAP. État : New. New Book. Shipped from US within 10 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000. N° de réf. du libraire IQ-9786131540257

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8.

Arnaud CORDAT
Edité par Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011 (2011)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
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Description du livre Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011, 2011. Taschenbuch. État : Neu. Neuware - Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension. 220 pp. Französisch. N° de réf. du libraire 9786131540257

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Arnaud CORDAT
Edité par Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011 (2011)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
Neuf(s) Taschenbuch Quantité : 2
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Agrios-Buch
(Bergisch Gladbach, Allemagne)
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Description du livre Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011, 2011. Taschenbuch. État : Neu. Neuware - Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension. 220 pp. Französisch. N° de réf. du libraire 9786131540257

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Arnaud CORDAT
Edité par Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011 (2011)
ISBN 10 : 613154025X ISBN 13 : 9786131540257
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(Einbeck, Allemagne)
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Description du livre Editions Universitaires Europeennes EUE Feb 2011, 2011. Taschenbuch. État : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension. 220 pp. Französisch. N° de réf. du libraire 9786131540257

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