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Présentation de l'éditeur :
Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la ?lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a?n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in?uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef?cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension.
Biographie de l'auteur :
Arnaud Cordat est né en France en 1975. Après des études d'ingénieur physicien, il soutient une thèse en optoélectronique à l'Université Paris XI en 2002. Il est ensuite recruté par Sagem au laboratoire de développement des imageurs infrarouge. Depuis 2009, il dirige l'équipe de développement et support à la fabrication sur cette technologie.
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- ÉditeurUniv Européenne
- Date d'édition2011
- ISBN 10 613154025X
- ISBN 13 9786131540257
- ReliureBroché
- Nombre de pages220
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Etude d'Un Modulateur lectro-Optique En Sige/Si
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Etude d'un modulateur à lectro-optique en SiGe/Si
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Etude d''un modulateur électro-optique en SiGe/Si
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension. 220 pp. Französisch. N° de réf. du vendeur 9786131540257
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Etude d''un modulateur électro-optique en SiGe/Si : Conception et réalisation d''une structure de multipuits quantiques SiGe/Si à dopage modulé sur substrat SOI pour la modulation optique à 1,3 µm
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin a n de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les in uences respectives des paramètres de la structure sur l'ef cacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension. N° de réf. du vendeur 9786131540257
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Etude d'un modulateur électro-optique en SiGe/Si: Conception et réalisation d'une structure de multipuits quantiques SiGe/Si à dopage modulé sur . à 1,3 µm (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)
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