Photoluminescence résolue en temps de puits quantiques GaN/AlGaN: Effet du champ électrique interne sur la dynamique des excitons

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9786131548253: Photoluminescence résolue en temps de puits quantiques GaN/AlGaN: Effet du champ électrique interne sur la dynamique des excitons
Présentation de l'éditeur :

Nous étudions, par photoluminescence résolue en temps, des puits quantiques GaN/AlGaN, élaborés en épitaxie par jet moléculaire (EJM). Ces systèmes sont le siège de champs électriques internes de l'ordre du MV/cm, dus à la piézoélectricité et à la polarisation spontanée, qui influent fortement sur le temps de vie radiatif des excitons. Le désaccord entre les temps de vie calculés dans le formalisme de la fonction enveloppe et les temps de déclin de photoluminescence expérimentaux indique qu'il existe des phénomènes non radiatifs dont l'efficacité croît exponentiellement lorsqu'on réduit la largeur de barrière dans les échantillons à multipuits quantiques. Nous montrons également, par une approche expérimentale et théorique, comment la faible extension spatiale de l'exciton tend à le localiser sur les rugosités d'interface à basse température. Cette localisation, comparable à celle qui intervient dans des systèmes plus complexes comme les puits quantiques InGaN/GaN, est susceptible protéger l'exciton de la capture par les centres non radiatifs que sont les dislocations traversantes.

Biographie de l'auteur :

Mathieu Gallart, docteur en physique de l'université des sciences et techniques du Languedoc (Montpellier II). Actuellement maître de conférences à l'institut de physique et chimie des matériaux de Strasbourg(IPCMS), son domaine de prédilection est la spectroscopie ultra-rapide de nanostructures semiconductrices.

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1.

Gallart-M
Edité par Univ Europeenne, United States (2010)
ISBN 10 : 6131548250 ISBN 13 : 9786131548253
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Description du livre Univ Europeenne, United States, 2010. Paperback. État : New. 220 x 150 mm. Language: French . Brand New Book. Nous A(c)tudions, par photoluminescence rA(c)solue en temps, des puits quantiques GaN/AlGaN, A(c)laborA(c)s en A(c)pitaxie par jet molA(c)culaire (EJM). Ces systA]mes sont le siA]ge de champs A(c)lectriques internes de l ordre du MV/cm, dus A la piA(c)zoA(c)lectricitA(c) et A la polarisation spontanA(c)e, qui influent fortement sur le temps de vie radiatif des excitons. Le dA(c)saccord entre les temps de vie calculA(c)s dans le formalisme de la fonction enveloppe et les temps de dA(c)clin de photoluminescence expA(c)rimentaux indique qu il existe des phA(c)nomA]nes non radiatifs dont l efficacitA(c) croA(R)t exponentiellement lorsqu on rA(c)duit la largeur de barriA]re dans les A(c)chantillons A multipuits quantiques. Nous montrons A(c)galement, par une approche expA(c)rimentale et thA(c)orique, comment la faible extension spatiale de l exciton tend A le localiser sur les rugositA(c)s d interface A basse tempA(c)rature. Cette localisation, comparable A celle qui intervient dans des systA]mes plus complexes comme les puits quantiques InGaN/GaN, est susceptible protA(c)ger l exciton de la capture par les centres non radiatifs que sont les dislocations traversantes. N° de réf. du libraire KNV9786131548253

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Gallart-M
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ISBN 10 : 6131548250 ISBN 13 : 9786131548253
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Gallart-M
Edité par Univ Europeenne, United States (2010)
ISBN 10 : 6131548250 ISBN 13 : 9786131548253
Neuf(s) Paperback Quantité : 1
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Description du livre Univ Europeenne, United States, 2010. Paperback. État : New. 220 x 150 mm. Language: French . Brand New Book. Nous A(c)tudions, par photoluminescence rA(c)solue en temps, des puits quantiques GaN/AlGaN, A(c)laborA(c)s en A(c)pitaxie par jet molA(c)culaire (EJM). Ces systA]mes sont le siA]ge de champs A(c)lectriques internes de l ordre du MV/cm, dus A la piA(c)zoA(c)lectricitA(c) et A la polarisation spontanA(c)e, qui influent fortement sur le temps de vie radiatif des excitons. Le dA(c)saccord entre les temps de vie calculA(c)s dans le formalisme de la fonction enveloppe et les temps de dA(c)clin de photoluminescence expA(c)rimentaux indique qu il existe des phA(c)nomA]nes non radiatifs dont l efficacitA(c) croA(R)t exponentiellement lorsqu on rA(c)duit la largeur de barriA]re dans les A(c)chantillons A multipuits quantiques. Nous montrons A(c)galement, par une approche expA(c)rimentale et thA(c)orique, comment la faible extension spatiale de l exciton tend A le localiser sur les rugositA(c)s d interface A basse tempA(c)rature. Cette localisation, comparable A celle qui intervient dans des systA]mes plus complexes comme les puits quantiques InGaN/GaN, est susceptible protA(c)ger l exciton de la capture par les centres non radiatifs que sont les dislocations traversantes. N° de réf. du libraire KNV9786131548253

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Mathieu Gallart
Edité par Omniscriptum (2010)
ISBN 10 : 6131548250 ISBN 13 : 9786131548253
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Mathieu Gallart
Edité par Editions Universitaires Europeennes EUE Nov 2010 (2010)
ISBN 10 : 6131548250 ISBN 13 : 9786131548253
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Description du livre Editions Universitaires Europeennes EUE Nov 2010, 2010. Taschenbuch. État : Neu. 220x150x8 mm. This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - Nous étudions, par photoluminescence résolue en temps, des puits quantiques GaN/AlGaN, élaborés en épitaxie par jet moléculaire (EJM). Ces systèmes sont le siège de champs électriques internes de l'ordre du MV/cm, dus à la piézoélectricité et à la polarisation spontanée, qui influent fortement sur le temps de vie radiatif des excitons. Le désaccord entre les temps de vie calculés dans le formalisme de la fonction enveloppe et les temps de déclin de photoluminescence expérimentaux indique qu'il existe des phénomènes non radiatifs dont l'efficacité croît exponentiellement lorsqu'on réduit la largeur de barrière dans les échantillons à multipuits quantiques. Nous montrons également, par une approche expérimentale et théorique, comment la faible extension spatiale de l'exciton tend à le localiser sur les rugosités d'interface à basse température. Cette localisation, comparable à celle qui intervient dans des systèmes plus complexes comme les puits quantiques InGaN/GaN, est susceptible protéger l'exciton de la capture par les centres non radiatifs que sont les dislocations traversantes. 140 pp. Französisch. N° de réf. du libraire 9786131548253

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Mathieu Gallart
Edité par Editions Universitaires Europeennes EUE Nov 2010 (2010)
ISBN 10 : 6131548250 ISBN 13 : 9786131548253
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Edité par Editions Universitaires Europeennes EUE Nov 2010 (2010)
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GALLART-M
Edité par OmniScriptum (2016)
ISBN 10 : 6131548250 ISBN 13 : 9786131548253
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Description du livre OmniScriptum, 2016. Paperback. État : New. PRINT ON DEMAND Book; New; Publication Year 2016; Not Signed; Fast Shipping from the UK. No. book. N° de réf. du libraire ria9786131548253_lsuk

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ISBN 10 : 6131548250 ISBN 13 : 9786131548253
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Edité par Omniscriptum (2010)
ISBN 10 : 6131548250 ISBN 13 : 9786131548253
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