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Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs: Application à l'étude et la modélisation évolutionnaire de la mobilité dans le Nitrure de Gallium (GaN) - Couverture souple
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Présentation de l'éditeur :
Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T<240K) et les concentrations du dopants (dopage) élevées (N>10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.
Biographie de l'auteur :
Fayçal DJEFFAL est Docteur en Electronique, enseignant chercheur à l'Université de Batna (Algérie), membre du "Laboratoire d'Electronique Avancée"de l'Université de Batna. Ses recherches se situent dans le champ de la Micro et la Nanoélectronique. Son travail se focalise sur l'étude et modélisation des dispositifs électroniques.
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- ÉditeurEditions universitaires europeennes
- Date d'édition2010
- ISBN 10 6131551391
- ISBN 13 9786131551390
- ReliureBroché
- Nombre de pages88
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Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs: Application à l'étude et la modélisation évolutionnaire de la mobilité dans le . (GaN) (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T 10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires. N° de réf. du vendeur 9786131551390
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