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Etude ab initio des semi-conducteurs Chalcopyrites CuGaX2 (X=S, Se) - Couverture souple

 
9786131561580: Etude ab initio des semi-conducteurs Chalcopyrites CuGaX2 (X=S, Se)
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Présentation de l'éditeur :
La recherche dans le domaine du photovoltaïque a comme but d’améliorer le rendement des cellules solaires en étudiant les propriétés physiques des semi-conducteurs, parmi ces derniers les composés ternaires en phase chalcopyrite comme CuGaX₂ (X=S,Se) qui ont attiré beaucoup d’attention à cause de leurs propriétés physiques intéressantes et les diverses applications dans les cellules solaires l’électronique et l’optique. Notre travail consiste, de ce fait à l’étude des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs chalcopyrites CuGaS₂ et CuGaSe₂. Les calculs ont été effectués par la méthode FP-LAPW qui se base sur la DFT. Nous avons utilisé la GGA pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation. Nous avons optimisé la valeur du paramètre interne par relaxation des positions des atomes en utilisant les valeurs expérimentales du paramètre du réseau. Les valeurs du paramètre de maille d’équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant la GGA montrent une amélioration par rapport à ceux trouvés dans d’autres travaux théoriques et sont plus proches aux données expérimentales.
Biographie de l'auteur :
Hana Benzaghou est titulaire d'un diplôme de magistère en Physique, spécialité Physique Electronique et Modélisation à l'université Abou Bekr Belkaid Tlemcen Algérie. Actuellement doctorante au Laboratoire de Physique Théorique (LPT) de l'université de Tlemcen, Algérie.

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ISBN 10 : 6131561583 ISBN 13 : 9786131561580
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Description du livre PAP. Etat : New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000. N° de réf. du vendeur L0-9786131561580

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Hana Benzaghou
ISBN 10 : 6131561583 ISBN 13 : 9786131561580
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(Bergisch Gladbach, Allemagne)
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -La recherche dans le domaine du photovoltaïque a comme but d améliorer le rendement des cellules solaires en étudiant les propriétés physiques des semi-conducteurs, parmi ces derniers les composés ternaires en phase chalcopyrite comme CuGaX (X=S,Se) qui ont attiré beaucoup d attention à cause de leurs propriétés physiques intéressantes et les diverses applications dans les cellules solaires l électronique et l optique. Notre travail consiste, de ce fait à l étude des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs chalcopyrites CuGaS et CuGaSe . Les calculs ont été effectués par la méthode FP-LAPW qui se base sur la DFT. Nous avons utilisé la GGA pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation. Nous avons optimisé la valeur du paramètre interne par relaxation des positions des atomes en utilisant les valeurs expérimentales du paramètre du réseau. Les valeurs du paramètre de maille d équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant la GGA montrent une amélioration par rapport à ceux trouvés dans d autres travaux théoriques et sont plus proches aux données expérimentales. 88 pp. Französisch. N° de réf. du vendeur 9786131561580

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Benzaghou, Hana; Merad, Abdelkrim
ISBN 10 : 6131561583 ISBN 13 : 9786131561580
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Hana Benzaghou
ISBN 10 : 6131561583 ISBN 13 : 9786131561580
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(Einbeck, Allemagne)
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - La recherche dans le domaine du photovoltaïque a comme but d améliorer le rendement des cellules solaires en étudiant les propriétés physiques des semi-conducteurs, parmi ces derniers les composés ternaires en phase chalcopyrite comme CuGaX (X=S,Se) qui ont attiré beaucoup d attention à cause de leurs propriétés physiques intéressantes et les diverses applications dans les cellules solaires l électronique et l optique. Notre travail consiste, de ce fait à l étude des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs chalcopyrites CuGaS et CuGaSe . Les calculs ont été effectués par la méthode FP-LAPW qui se base sur la DFT. Nous avons utilisé la GGA pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation. Nous avons optimisé la valeur du paramètre interne par relaxation des positions des atomes en utilisant les valeurs expérimentales du paramètre du réseau. Les valeurs du paramètre de maille d équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant la GGA montrent une amélioration par rapport à ceux trouvés dans d autres travaux théoriques et sont plus proches aux données expérimentales. N° de réf. du vendeur 9786131561580

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Hana Benzaghou|Abdelkrim Merad
ISBN 10 : 6131561583 ISBN 13 : 9786131561580
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