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Mikrostruktur von ionenimplantiertem Saphir: Der Einfluss von Implantationstemperatur und ionisierender Strahlung auf die Mikrostruktur von ionenimplantiertem Saphir - Couverture souple
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- ÉditeurVerlag Unser Wissen
- Date d'édition2022
- ISBN 10 6203340391
- ISBN 13 9786203340396
- ReliureBroché
- Nombre de pages176
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Mikrostruktur von ionenimplantiertem Saphir
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Verlag Unser Wissen Apr 2022
(2022)
ISBN 10 : 6203340391
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Die Wissenschaft der Ionenimplantationstechnologie befasst sich mit der Modifikation der oberflächennahen Eigenschaften einer breiten Palette von Materialien. Die Technik bietet eine ausgezeichnete Kontrolle der Implantationsparameter wie Dosisbereich, Energie der Ionenspezies und Implantationstemperatur. Alpha-Al2O3 (Saphir)-Proben wurden bei Raumtemperatur (RT) und 1000 Grad C mit Fluenzen von 1x10^17 B+/cm^2, 3x10^16 N+/cm^2 und 1x10^17 Fe+/cm^2 mit einer Energie von 150 keV bestrahlt. Nach der Bestrahlung wurden die Strukturen mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), Rutherford-Backscattering-Ion-Channeling (RBS-C)-Spektroskopie, optischen Absorptionsmessungen, Röntgenbeugung (XRD) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) untersucht. Die tiefenabhängigen Mikrostrukturen der bestrahlten Proben, die deponierte Energie (elastisch und inelastisch) als Funktion der Tiefe von der Oberfläche, der Bereich der implantierten Spezies und die Defektproduktion wurden mit dem Programm 'Transport and range of ions in materials' (TRIM) modelliert. 176 pp. Deutsch. N° de réf. du vendeur 9786203340396
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Mikrostruktur von ionenimplantiertem Saphir : Der Einfluss von Implantationstemperatur und ionisierender Strahlung auf die Mikrostruktur von ionenimplantiertem Saphir
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Die Wissenschaft der Ionenimplantationstechnologie befasst sich mit der Modifikation der oberflächennahen Eigenschaften einer breiten Palette von Materialien. Die Technik bietet eine ausgezeichnete Kontrolle der Implantationsparameter wie Dosisbereich, Energie der Ionenspezies und Implantationstemperatur. Alpha-Al2O3 (Saphir)-Proben wurden bei Raumtemperatur (RT) und 1000 Grad C mit Fluenzen von 1x10^17 B+/cm^2, 3x10^16 N+/cm^2 und 1x10^17 Fe+/cm^2 mit einer Energie von 150 keV bestrahlt. Nach der Bestrahlung wurden die Strukturen mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), Rutherford-Backscattering-Ion-Channeling (RBS-C)-Spektroskopie, optischen Absorptionsmessungen, Röntgenbeugung (XRD) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) untersucht. Die tiefenabhängigen Mikrostrukturen der bestrahlten Proben, die deponierte Energie (elastisch und inelastisch) als Funktion der Tiefe von der Oberfläche, der Bereich der implantierten Spezies und die Defektproduktion wurden mit dem Programm 'Transport and range of ions in materials' (TRIM) modelliert. N° de réf. du vendeur 9786203340396
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Description du livre Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Die Wissenschaft der Ionenimplantationstechnologie befasst sich mit der Modifikation der oberflaechennahen Eigenschaften einer breiten Palette von Materialien. Die Technik bietet eine ausgezeichnete Kontrolle der Implantationsparameter wie Dosisbereich, Ener. N° de réf. du vendeur 578917224
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