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Microstructure du saphir implanté par des ions: L'effet de la température d'implantation et du rayonnement ionisant sur la microstructure du saphir implanté - Couverture souple
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- ÉditeurEditions Notre Savoir
- Date d'édition2022
- ISBN 10 6203340499
- ISBN 13 9786203340495
- ReliureBroché
- Nombre de pages176
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Microstructure du saphir implanté par des ions
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Editions Notre Savoir Apr 2022
(2022)
ISBN 10 : 6203340499
ISBN 13 : 9786203340495
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -La science de la technologie d'implantation ionique s'intéresse à la modification des propriétés de la surface proche d'un large éventail de matériaux. La technique permet un excellent contrôle des paramètres d'implantation tels que la gamme de doses, l'énergie des espèces d'ions et la température d'implantation. Des échantillons d'Alpha-Al2O3 (saphir) ont été irradiés à température ambiante (RT) et à 1000 degrés C à des fluences de 1x10^17 B+/cm^2, 3x10^16 N+/cm^2 et 1x10^17 Fe+/cm^2 avec 150 keV d'énergie. Après irradiation, les structures ont été examinées à l'aide de la microscopie électronique à transmission (TEM), de la spectroscopie Rutherford à rétrodiffusion - canalisation d'ions (RBS-C), de mesures d'absorption optique, de la technique de diffraction des rayons X (XRD) et de la spectroscopie photoélectronique à rayons X (XPS). Les microstructures des spécimens irradiés qui dépendent de la profondeur, l'énergie déposée (élastique et inélastique) en fonction de la profondeur à partir de la surface, la gamme des espèces implantées et la production de défauts ont été modélisées à l'aide du programme TRIM (Transport and range of ions in materials). 176 pp. Französisch. N° de réf. du vendeur 9786203340495
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Microstructure du saphir implanté par des ions : L'effet de la température d'implantation et du rayonnement ionisant sur la microstructure du saphir implanté
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - La science de la technologie d'implantation ionique s'intéresse à la modification des propriétés de la surface proche d'un large éventail de matériaux. La technique permet un excellent contrôle des paramètres d'implantation tels que la gamme de doses, l'énergie des espèces d'ions et la température d'implantation. Des échantillons d'Alpha-Al2O3 (saphir) ont été irradiés à température ambiante (RT) et à 1000 degrés C à des fluences de 1x10^17 B+/cm^2, 3x10^16 N+/cm^2 et 1x10^17 Fe+/cm^2 avec 150 keV d'énergie. Après irradiation, les structures ont été examinées à l'aide de la microscopie électronique à transmission (TEM), de la spectroscopie Rutherford à rétrodiffusion - canalisation d'ions (RBS-C), de mesures d'absorption optique, de la technique de diffraction des rayons X (XRD) et de la spectroscopie photoélectronique à rayons X (XPS). Les microstructures des spécimens irradiés qui dépendent de la profondeur, l'énergie déposée (élastique et inélastique) en fonction de la profondeur à partir de la surface, la gamme des espèces implantées et la production de défauts ont été modélisées à l'aide du programme TRIM (Transport and range of ions in materials). N° de réf. du vendeur 9786203340495
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