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Synopsis
HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herkömmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit überlegen. Sie eignen sich ideal für drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenwärtig intensiv erforscht. Diese Einführung ist so verständlich formuliert, daß der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik benötigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)
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À propos de l?auteur
WILLIAM LIU is a senior member of the technical staff at Texas Instruments, where he has worked since obtaining his PhD in electrical engineering from Stanford University in 1991. Dr. Liu has published numerous papers, reviews, and chapter contributions on HBTs. He holds thirteen U.S. patents on device and circuit design in various HBT technologies. He is a senior member of the IEEE.
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Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs
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Wiley-Interscience (edition 1), 1999
ISBN 10 : 0471297003
ISBN 13 : 9780471297000
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Fundamentals of III-V Devices
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John Wiley & Sons, 1999
ISBN 10 : 0471297003
ISBN 13 : 9780471297000
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Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs
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Wiley-Interscience, 1999
ISBN 10 : 0471297003
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