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An extrapolation of ULSI scaling trends indicates that minimum feature sizes below 0.1 mu and gate thicknesses of Audience: Both expert scientists and engineers who wish to keep up with cutting edge research, and new students who wish to learn more about the exciting basic research issues relevant to next-generation device technology.
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices (NATO Science Partnership Subseries: 3, 47)
Vendeur : Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Etats-Unis
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices (NATO Science Partnership Subseries: 3, 47)
Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-Uni
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices
Edité par
Springer, Springer Mär 1998, 1998
ISBN 10 : 0792350081
ISBN 13 : 9780792350088
Neuf
Taschenbuch
Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Allemagne
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -An extrapolation of ULSI scaling trends indicates that minimum feature sizes below 0.1 mu and gate thicknesses of Audience: Both expert scientists and engineers who wish to keep up with cutting edge research, and new students who wish to learn more about the exciting basic research issues relevant to next-generation device technology. 520 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9780792350088
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices
Edité par
Springer Netherlands, 1998
ISBN 10 : 0792350081
ISBN 13 : 9780792350088
Neuf
Kartoniert / Broschiert
Vendeur : moluna, Greven, Allemagne
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Kartoniert / Broschiert. Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices: Towards an Atomic Scale Understanding, St. Petersburg, Russia, August 4-8, 1997 An extrapolation of ULSI scaling trends indicates . N° de réf. du vendeur 5968426
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on SI-Based Devices
Edité par
Kluwer Academic Publishers, 1998
ISBN 10 : 0792350081
ISBN 13 : 9780792350088
Neuf
Couverture souple
Vendeur : Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, Irlande
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Etat : New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices: Towards an Atomic Scale Understanding, St. Petersburg, Russia, August 4-8, 1997 Editor(s): Garfunkel, Eric; Gusev, Evgeni; Vul', Alexander Ya. Series: NATO Science Partnership Subseries: 3. Num Pages: 507 pages, 114 black & white illustrations, biography. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 240 x 160 x 26. Weight in Grams: 1590. . 1998. Softcover reprint of the original 1st ed. 1998. Paperback. . . . . N° de réf. du vendeur V9780792350088
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices
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Springer Netherlands, Springer Netherlands Mär 1998, 1998
ISBN 10 : 0792350081
ISBN 13 : 9780792350088
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -An extrapolation of ULSI scaling trends indicates that minimum feature sizes below 0.1 mu and gate thicknesses of 520 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9780792350088
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices
Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Allemagne
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Taschenbuch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - An extrapolation of ULSI scaling trends indicates that minimum feature sizes below 0.1 mu and gate thicknesses of Audience: Both expert scientists and engineers who wish to keep up with cutting edge research, and new students who wish to learn more about the exciting basic research issues relevant to next-generation device technology. N° de réf. du vendeur 9780792350088
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on SI-Based Devices
Edité par
Kluwer Academic Publishers, 1998
ISBN 10 : 0792350081
ISBN 13 : 9780792350088
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Vendeur : Kennys Bookstore, Olney, MD, Etats-Unis
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Etat : New. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices: Towards an Atomic Scale Understanding, St. Petersburg, Russia, August 4-8, 1997 Editor(s): Garfunkel, Eric; Gusev, Evgeni; Vul', Alexander Ya. Series: NATO Science Partnership Subseries: 3. Num Pages: 507 pages, 114 black & white illustrations, biography. BIC Classification: TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 240 x 160 x 26. Weight in Grams: 1590. . 1998. Softcover reprint of the original 1st ed. 1998. Paperback. . . . . Books ship from the US and Ireland. N° de réf. du vendeur V9780792350088
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
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Etat : New. pp. 520. N° de réf. du vendeur 26551048
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices
impression à la demandeVendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
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Etat : New. Print on Demand pp. 520 49:B&W 6.14 x 9.21 in or 234 x 156 mm (Royal 8vo) Perfect Bound on White w/Gloss Lam. N° de réf. du vendeur 8378199
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