Defects in Sio2 and Related Dielectrics: Science and Technology - Couverture rigide
Livre 4 sur 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry
Synopsis
Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies.
This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy.
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
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Springer Netherlands, 2000
ISBN 10 : 0792366859
ISBN 13 : 9780792366850
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Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Erice, Italy, April 8-20, 2000 Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-ox. N° de réf. du vendeur 5969607
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology (NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, 2)
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
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Springer Netherlands Dez 2000, 2000
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Buch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies. This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy. 636 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9780792366850
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
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Dordrecht / Boston / London. Kluwer Academic Publishers. 2000., 2000
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Softcover. Hardcover 624 pages. with Figures and tables. In good clean, solid condition. Nato Science Series II. Mathematics, Physics and Chemistry Vol. 2. Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Erice, Italy, April 8-20, 2000. in englischer Sprache (in english). N° de réf. du vendeur P5-0030
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Buch. Etat : Neu. Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology | Gianfranco Pacchioni (u. a.) | Buch | NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry | viii | Englisch | 2000 | Springer Netherland | EAN 9780792366850 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand. N° de réf. du vendeur 102549877
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Defects in SiO2 and Related Dielectrics
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