Gallium Arsenide and Related Compounds 1991emphasizes current results on the materials, characterization, and device aspects of a broad range of semiconductor materials, particularly the III-V compounds and alloys. The book is a valuable reference for researchers in physics, materials science, and electronics and electrical engineering who work on III-V compounds.
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G.B. Stringfellow (University of Utah)
Gallium Arsenide and Related Compounds 1991emphasizes current results on the materials, characterization, and device aspects of a broad range of semiconductor materials, particularly the III-V compounds and alloys. The book is a valuable reference for researchers in physics, materials science, and electronics and electrical engineering who work on III-V compounds..
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Gebunden. Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. G.B. Stringfellow (University of Utah)Plenary papers epitaxy, mainly molecular beam MESFETs and MODFETs processing characterization HBTs and InGaAlAs FETs ordering quantum wells opto-electronics OMPVE superlattices.Gallium Arsenide. N° de réf. du vendeur 595098966
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