Nonvolatile Memory Design - Couverture souple

Li, Hai; Chen, Yiran

 
9781138076631: Nonvolatile Memory Design
Couverture souple
ISBN 10 : 1138076635 ISBN 13 : 9781138076631
Editeur : CRC Press, 2017

Synopsis

The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.

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À propos de l?auteur

Hai Li

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Éditeur
CRC Press
Date d'édition
2017
Langue
anglais
ISBN 10 
1138076635
ISBN 13 
9781138076631
Reliure
Broché
Nombre de pages
203
Coordonnées du fabricant
CRC Press
https://www.routledge-ny.com

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Edition présentée

ISBN 10 :  1439807450 ISBN 13 :  9781439807453
Editeur : CRC Press Inc, 2011
Couverture rigide