Articles liés à Characterization of Stress in GaN-on-Sapphire Microelectrome...

Characterization of Stress in GaN-on-Sapphire Microelectromechanical Systems Structures Using Micro-Raman Spectroscopy - Couverture souple

Parada, Francisco E

 
9781288368518: Characterization of Stress in GaN-on-Sapphire Microelectromechanical Systems Structures Using Micro-Raman Spectroscopy
Couverture souple
ISBN 10 : 1288368518 ISBN 13 : 9781288368518
Editeur : BiblioBazaar, LLC, 2012

Synopsis

Micro-Raman ( Raman) spectroscopy is an e cient, non-destructive techniquewidely used to determine the quality of semiconductor materials and microelectrome-chanical systems. This work characterizes the stress distribution in wurtzite gal-lium nitride grown on c-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy. Thiswide bandgap semiconductor material is being considered by the Air Force ResearchLaboratory for the fabrication of shock-hardened MEMS accelerometers.

Les informations fournies dans la section « Synopsis » peuvent faire référence à une autre édition de ce titre.

Éditeur
BiblioBazaar, LLC
Date d'édition
2012
Langue
anglais
ISBN 10 
1288368518
ISBN 13 
9781288368518
Reliure
Broché
Nombre de pages
98
Coordonnées du fabricant
non disponible
Personne responsable
gpsr@libri.de
gpsr@libri.de

Europaallee 1
Bad Hersfeld
36244
Allemagne