Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change - Couverture rigide

Li, Hai; Chen, Yiran

 
9781439807453: Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change
Couverture rigide
ISBN 10 : 1439807450 ISBN 13 : 9781439807453
Editeur : CRC Press Inc, 2011

Synopsis

The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.

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À propos de l?auteur

Hai Li

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Éditeur
CRC Press Inc
Date d'édition
2011
Langue
anglais
ISBN 10 
1439807450
ISBN 13 
9781439807453
Reliure
Relié
Nombre de pages
189
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non disponible
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gpsr@libri.de
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