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Synopsis
Yield and reliability of memories have degraded with device and voltage scaling in the nano-scale era, due to ever-increasing hard/soft errors and device parameter variations. This book systematically describes these yield and reliability issues in terms of mathematics and engineering, as well as an array of repair techniques, based on the authors’ long careers in developing memories and low-voltage CMOS circuits. Nanoscale Memory Repair gives a detailed explanation of the various yield models and calculations, as well as various, practical logic and circuits that are critical for higher yield and reliability.
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Yield and reliability of memories have degraded with device and voltage scaling in the nano-scale era, due to ever-increasing hard/soft errors and device parameter variations. This book systematically describes these yield and reliability issues in terms of mathematics and engineering, as well as an array of repair techniques, based on the authors' long careers in developing memories and low-voltage CMOS circuits. Nanoscale Memory Repair gives a detailed explanation of the various yield models and calculations, as well as various, practical logic and circuits that are critical for higher yield and reliability.
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Written from years of experience with developing memories and low-voltage CMOS circuits, Nanoscale Memory Repair describes yield and reliability issues in terms of mathematics and engineering. Readers will find a detailed explanation of the various yield models and calculations.
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Nanoscale Memory Repair
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Yield and reliability of memories have degraded with device and voltage scaling in the nano-scale era, due to ever-increasing hard/soft errors and device parameter variations. This book systematically describes these yield and reliability issues in terms of mathematics and engineering, as well as an array of repair techniques, based on the authors' long careers in developing memories and low-voltage CMOS circuits. Nanoscale Memory Repair gives a detailed explanation of the various yield models and calculations, as well as various, practical logic and circuits that are critical for higher yield and reliability. 228 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9781461427940
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Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Presents the first comprehensive reference to reliability and repair techniques for nano-scale memoriesCovers both the mathematical foundations and engineering applications of yield and reliability in nano-scale memoriesIncludes a variety o. N° de réf. du vendeur 4197776
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Taschenbuch. Etat : Neu. Nanoscale Memory Repair | Masashi Horiguchi (u. a.) | Taschenbuch | Integrated Circuits and Systems | x | Englisch | 2013 | Springer | EAN 9781461427940 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu. N° de réf. du vendeur 106028291
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Yield and reliability of memories have degraded with device and voltage scaling in the nano-scale era, due to ever-increasing hard/soft errors and device parameter variations. This book systematically describes these yield and reliability issues in terms of mathematics and engineering, as well as an array of repair techniques, based on the authors¿ long careers in developing memories and low-voltage CMOS circuits. Nanoscale Memory Repair gives a detailed explanation of the various yield models and calculations, as well as various, practical logic and circuits that are critical for higher yield and reliability.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 228 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9781461427940
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Taschenbuch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Yield and reliability of memories have degraded with device and voltage scaling in the nano-scale era, due to ever-increasing hard/soft errors and device parameter variations. This book systematically describes these yield and reliability issues in terms of mathematics and engineering, as well as an array of repair techniques, based on the authors' long careers in developing memories and low-voltage CMOS circuits. Nanoscale Memory Repair gives a detailed explanation of the various yield models and calculations, as well as various, practical logic and circuits that are critical for higher yield and reliability. N° de réf. du vendeur 9781461427940
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