Autres éditions populaires du même titre
Résultats de recherche pour Optical Properties of Semiconductors
Image d'archives
Optical Properties of Semiconductors (eng)
impression à la demandeVendeur : Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italie
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Etat : new. Questo è un articolo print on demand. N° de réf. du vendeur ABYZSOW5TC
Acheter neuf
EUR 46,22
Expédition à EUR 5,50
Expédition depuis Italie vers Etats-Unis
Expédition depuis Italie vers Etats-Unis
Quantité disponible : Plus de 20 disponibles
Image d'archives
Optical Properties of Semiconductors (The Lebedev Physics Institute Series)
Vendeur : California Books, Miami, FL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
Etat : New. N° de réf. du vendeur I-9781461575504
Acheter neuf
EUR 61,61
Livraison gratuite
Expédition nationale : Etats-Unis
Expédition nationale : Etats-Unis
Quantité disponible : Plus de 20 disponibles
Image d'archives
Optical Properties of Semiconductors
impression à la demandeVendeur : Basi6 International, Irving, TX, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Etat : Brand New. New. US edition. Print on demand title. Delivery takes 20-25 days. Excellent Customer Service. N° de réf. du vendeur POD-327145
Acheter neuf
EUR 61,93
Livraison gratuite
Expédition nationale : Etats-Unis
Expédition nationale : Etats-Unis
Quantité disponible : 10 disponible(s)
Image d'archives
Optical Properties of Semiconductors (The Lebedev Physics Institute Series)
Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Etat : New. In. N° de réf. du vendeur ria9781461575504_new
Acheter neuf
EUR 61,16
Expédition à EUR 14
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-Unis
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-Unis
Quantité disponible : Plus de 20 disponibles
Image fournie par le vendeur
Optical Properties of Semiconductors
Edité par
Springer US, Springer New York Jun 2012, 2012
ISBN 10 : 1461575508
ISBN 13 : 9781461575504
Neuf
Taschenbuch
Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Radiation Emitted from Semiconductor Lasers in Strong Magnetic Fields and under High Hydrostatic Pressures.- I Influence of Magnetic Fields and High Pressures on Energy Spectra of Semiconductors.- ¿1. Influence of Magnetic Fields on Energy Structure of III¿V and IV¿VI Semiconductor Compounds.- ¿2. Influence of Pressure on Energy Structures of III¿V and IV¿VI Compounds.- ¿3. Characteristics of Semiconductor Laser Operation Affected by Variation of Temperature, Pressure, and Magnetic Field.- II Experimental Method.- ¿1. Apparatus for Excitation of Injection Lasers and Recording of Emission Spectra.- ¿2. Q-Switched CO2 Laser.- ¿3. Technique Used in Low-Tempe rature Magnetooptic Investigations at Infrared Wavelengths.- ¿4. Apparatus Used in Optical Measurements at Infrared Wavelengths under High Hydrostatic Pressures at 77¿K.- ¿5. Zinc- and Copper-Doped Germanium Infrared-Radiation Detectors.- ¿6. Scanning of Infrared Radiation Emitted from InSb Crystals.- ¿7. Other Measurements.- III Influence of Magnetic Fields on Emission Spectra of p-n Junctions in InAs, InSb, and PbSe.- ¿1. Spontaneous and Coherent Radiation Emitted from InAs Injection Lasers.- ¿2. Radiation Emitted from InSb Injection Lasers in Strong Magnetic Fields. Position of Light-Emission Region.- ¿3. Spontaneous and Coherent Radiation Emitted from p-n Junctions in PbSe,.- IV Magnetically Tuned Stimulated Raman Emission from Indium Antimonide.- ¿1. Raman Scattering of Light by Plasmons and Landau Levels in Semiconductors.- ¿2. Stimulated Raman Scattering of Light Accompanied by Spin Flip in Indium Antimonide.- ¿3. Discussion of Results.- V Influence of Pressure on Radiation Emitted from Lead Selenide and Gallium Arsenide Semiconductor Lasers.- ¿1. Emission Spectra of PbSe Lasers.- ¿2. Emission Spectra of GaAs Lasers.- ¿3. Discussion of Results.- Conclusions.- Literature Cited.- Investigation of the Collective Properties of Excitons in Germanium by Long-Wavelength Infrared Spectroscopy Methods.- I Energy Spectra and Collective Properties of Excitons in Semiconductors.- 1. Energy Spectrum of Excitons.- ¿1. Theoretical Calculations.- ¿2. Experimental Results.- 2. Collective Properties of Exciton Systems.- ¿1. Theoretical Representations.- ¿2. Discussion of Experimental Results.- II Methods used in Far-Infrared Investigations of Excitons in Semiconductors.- ¿1. Spectroscopic Measurements.- ¿2. Apparatus Used in Low-Tempe rature Optical Measurements under Interband Excitation Conditions.- ¿3. Sources of Exciting Radiation.- ¿4. Thermal Conditions.- III Far-Infrared Resonance Absorption in Condensed Exciton Phase in Germanium.- ¿1. Absorption Spectra of Intrinsic Germanium.- ¿2. Discussion of Parameters of Electron ¿Hole Drops (n0 and ).- ¿3. Temperature Dependence of Resonance Absorption.- ¿4. Dependence of Resonance Absorption on Excitation Rate.- ¿5. Resonance Absorption in Doped Germanium.- IV Resonance Luminescence of Condensed Exciton Phase in Germanium.- ¿1. Experimental Investigation of Resonance Luminescence.- ¿2. Discussion of Experimental Results. Effective Luminescence Temperature of Drops.- ¿3. Influence of Inhomogeneous Deformation on Resonance Absorption and Luminescence. Mobility of Electron-Hole Drops.- V Photoionization and Excitation of Free Excitons in Germanium by Submillimeter Radiation.- ¿1. Photoionization and Excitation Spectra.- ¿2. Discussion of Experimental Results. Energy Levels of Excitons.- Literature Cited.- Collective Interactions of Excitons and Nonequilibrium Carriers in Gallium Arsenide and Silicon.- I Collective Interactions of Excitons in Semiconductors.- II Measurement Method.- ¿1. Optical System and Method of Recording Luminescence during Continuous Optical Excitation.- ¿2. Optical System and Method of Recording Luminescence Due to High-Power Light Pulses.- ¿3. Temperature Measurement Method.- ¿4. Determination of Temperature Rise in a Semiconductor during Continuous Optical Excitation.- ¿5. Determination of Temperature Rise in a Semiconductor during Illumination with High-Power Light Pulses.- III Photoluminescence of Gallium Arsenide.- ¿1. Excitons in GaAs and Their Role in Radiative Recombination.- ¿2. Investigation of Luminescence Spectra of GaAs at Different Optical Excitation Rates and Helium Temperatures.- ¿3. Photoluminescence of GaAs at Temperatures 2¿100¿K. Investigation of Temperature Dependence of Recombination Radiation Intensity.- ¿4. Photoluminescence Spectra of GaAs at T = 77¿K.- ¿5. Discussion of Results.- ¿6. Supplement. Possibility of Existence of Condensate in Pure Epitaxial GaAs Films.- IV Change in Absorption Coefficient of Undoped GaAs Due to Strong Optical Excitation.- V Investigation of Photoluminescence Spectra of Silicon at Different Optical Excitation Rates.- ¿1. Review of Literature.- ¿2. Experimental Investigation of the Photoluminescence of Si at Different Optical Excitation Rates.- ¿3. Photoluminescence Spectra of Si at Different Temperatures. Investigation of the Temperature Dependence of the Luminescence Intensity.- ¿4. Determination of the Binding Energy of Free Excitons from the Fall of the Luminescence Intensity with Rising Temperature.- ¿5. Discussion of Experimental Results.- VI Photoelectric Properties of Silicon at High Optical Excitation Rates.- ¿1. Review of Literature.- ¿2. Measurement Method.- ¿3. Photoluminescence Spectra of Si in the Presence of Static Electric Fields. Impact Ionization of Free Excitons.- ¿4. Kinetics of Recombination Processes in Si.- ¿5. Investigation of Excitons at High Concentrations in Weak Electric Fields.- Literature Cited. 192 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9781461575504
Acheter neuf
EUR 53,49
Expédition à EUR 23
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Quantité disponible : 2 disponible(s)
Image d'archives
Optical Properties of Semiconductors
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
Etat : New. pp. 192. N° de réf. du vendeur 26128019358
Acheter neuf
EUR 80,09
Expédition à EUR 3,51
Expédition nationale : Etats-Unis
Expédition nationale : Etats-Unis
Quantité disponible : 4 disponible(s)
Image d'archives
Optical Properties of Semiconductors
impression à la demandeVendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
Etat : New. Print on Demand pp. 192 6:B&W 8.25 x 11 in or 280 x 210 mm Perfect Bound on White w/Gloss Lam. N° de réf. du vendeur 131519553
Acheter neuf
EUR 79,36
Expédition à EUR 7,60
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-Unis
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-Unis
Quantité disponible : 4 disponible(s)
Image d'archives
Optical Properties of Semiconductors
impression à la demandeVendeur : Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Allemagne
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
Etat : New. PRINT ON DEMAND pp. 192. N° de réf. du vendeur 18128019348
Acheter neuf
EUR 79,94
Expédition à EUR 9,95
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Quantité disponible : 4 disponible(s)
Image d'archives
Optical Properties of Semiconductors (The Lebedev Physics Institute Series)
Vendeur : Revaluation Books, Exeter, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Paperback. Etat : Brand New. 189 pages. 10.90x8.26x0.44 inches. In Stock. N° de réf. du vendeur x-1461575508
Acheter neuf
EUR 80,35
Expédition à EUR 11,69
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-Unis
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-Unis
Quantité disponible : 2 disponible(s)
Image fournie par le vendeur
Optical Properties of Semiconductors
Vendeur : moluna, Greven, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Etat : New. N° de réf. du vendeur 4200327
Acheter neuf
EUR 48,74
Expédition à EUR 48,99
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Quantité disponible : Plus de 20 disponibles