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Synopsis
This third book in a series on nonvolatile memories builds on fundamental materials properties, materials integration, demonstration, and industrial devices gathered in those previous. A strong and increasing interest in nonvolatile memories, both domestic and international, indicates the worldwide importance of these materials and memory devices. The book features research on advanced flash memories, including nanoparticle floating gate FETs, MRAM, FeRAM, ReRAM and phase change RAMs, as well as memories using polymer materials. Papers from a joint session with Symposium FF, Novel Materials and Devices for Spintronics, are also included.
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Materials and Physics for Novolatile Memories
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Cambridge University Press, 2009
ISBN 10 : 1605111333
ISBN 13 : 9781605111339
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories: Volume 1160 (MRS Proceedings)
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Materials and Physics for Novolatile Memories
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Cambridge University Press, 2009
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories: Volume 1160
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Materials Research Society, 2009
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Etat : New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Fujisaki, Yoshihisa; Waser, Rainer; Li, Tingkai; Bonafos, Caroline. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 199 pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 15. Weight in Grams: 409. . 2009. Hardback. . . . . N° de réf. du vendeur V9781605111339
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories: Volume 1160 (MRS Proceedings)
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Cambridge University Press, 2009
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ISBN 13 : 9781605111339
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories: Volume 1160
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Materials and Physics for Novolatile Memories
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories: Volume 1160
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Materials Research Society, US, 2009
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ISBN 13 : 9781605111339
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Materials and Physics for Nonvolatile Memories
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