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The Thermoballistic Transport Model: A Novel Approach to Charge Carrier Transport in Semiconductors - Couverture rigide
Livre 193 sur 227: Springer Tracts in Modern Physics
Synopsis
The book presents a comprehensive survey of the thermoballistic approach to charge carrier transport in semiconductors. This semi-classical approach, which the authors have developed over the past decade, bridges the gap between the opposing drift-diffusion and ballistic models of carrier transport. While incorporating basic features of the latter two models, the physical concept underlying the thermoballistic approach constitutes a novel, unifying scheme. It is based on the introduction of "ballistic configurations" arising from a random partitioning of the length of a semiconducting sample into ballistic transport intervals. Stochastic averaging of the ballistic carrier currents over the ballistic configurations results in a position-dependent thermoballistic current, which is the key element of the thermoballistic concept and forms the point of departure for the calculation of all relevant transport properties. In the book, the thermoballistic concept and its implementation are developed in great detail and specific examples of interest to current research in semiconductor physics and spintronics are worked out.
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Lipperheide:The Thermoballistic Transpo (eng)
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The Thermoballistic Transport Model
Edité par
Springer International Publishing Mai 2014, 2014
ISBN 10 : 3319059238
ISBN 13 : 9783319059235
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Buch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The book presents a comprehensive survey of the thermoballistic approach to charge carrier transport in semiconductors. This semi-classical approach, which the authors have developed over the past decade, bridges the gap between the opposing drift-diffusion and ballistic models of carrier transport. While incorporating basic features of the latter two models, the physical concept underlying the thermoballistic approach constitutes a novel, unifying scheme. It is based on the introduction of 'ballistic configurations' arising from a random partitioning of the length of a semiconducting sample into ballistic transport intervals. Stochastic averaging of the ballistic carrier currents over the ballistic configurations results in a position-dependent thermoballistic current, which is the key element of the thermoballistic concept and forms the point of departure for the calculation of all relevant transport properties. In the book, the thermoballistic concept and its implementation are developed in great detail and specific examples of interest to current research in semiconductor physics and spintronics are worked out. 164 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783319059235
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The Thermoballistic Transport Model: A Novel Approach to Charge Carrier Transport in Semiconductors (Springer Tracts in Modern Physics, 259)
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The Thermoballistic Transport Model
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Springer International Publishing, 2014
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Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Presents the thermoballistic approach as a novel and original way of calculationsTreats specific examples of current research in semiconductor physics and spintronicsDevelops the formalism systematically, step-by-step, to make it easily com. N° de réf. du vendeur 4497413
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The Thermoballistic Transport Model
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The Thermoballistic Transport Model
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The Thermoballistic Transport Model
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The Thermoballistic Transport Model: A Novel Approach to Charge Carrier Transport in Semiconductors
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Hardcover. Etat : Brand New. 2014 edition. 160 pages. 9.50x6.50x0.50 inches. In Stock. N° de réf. du vendeur x-3319059238
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The Thermoballistic Transport Model
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Springer, Springer Mai 2014, 2014
ISBN 10 : 3319059238
ISBN 13 : 9783319059235
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Buch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The book presents a comprehensive survey of the thermoballistic approach to charge carrier transport in semiconductors. This semi-classical approach, which the authors have developed over the past decade, bridges the gap between the opposing drift-diffusion and ballistic models of carrier transport. While incorporating basic features of the latter two models, the physical concept underlying the thermoballistic approach constitutes a novel, unifying scheme. It is based on the introduction of 'ballistic configurations' arising from a random partitioning of the length of a semiconducting sample into ballistic transport intervals. Stochastic averaging of the ballistic carrier currents over the ballistic configurations results in a position-dependent thermoballistic current, which is the key element of the thermoballistic concept and forms the point of departure for the calculation of all relevant transport properties. In the book, the thermoballistic concept and its implementation are developed in great detail and specific examples of interest to current research in semiconductor physics and spintronics are worked out.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 164 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783319059235
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The Thermoballistic Transport Model : A Novel Approach to Charge Carrier Transport in Semiconductors
Edité par
Springer, Palgrave Macmillan, 2014
ISBN 10 : 3319059238
ISBN 13 : 9783319059235
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Buch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The book presents a comprehensive survey of the thermoballistic approach to charge carrier transport in semiconductors. This semi-classical approach, which the authors have developed over the past decade, bridges the gap between the opposing drift-diffusion and ballistic models of carrier transport. While incorporating basic features of the latter two models, the physical concept underlying the thermoballistic approach constitutes a novel, unifying scheme. It is based on the introduction of 'ballistic configurations' arising from a random partitioning of the length of a semiconducting sample into ballistic transport intervals. Stochastic averaging of the ballistic carrier currents over the ballistic configurations results in a position-dependent thermoballistic current, which is the key element of the thermoballistic concept and forms the point of departure for the calculation of all relevant transport properties. In the book, the thermoballistic concept and its implementation are developed in great detail and specific examples of interest to current research in semiconductor physics and spintronics are worked out. N° de réf. du vendeur 9783319059235
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