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Emerging Resistive Switching Memories - Couverture souple
Livre 40 sur 68: SpringerBriefs in Materials
Synopsis
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.
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À propos de l'auteur
Jianyong Ouyang is an Associate Professor in the Department of Materials Science and Engineering at National University of Singapore.
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Emerging Resistive Switching Memories (eng)
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Emerging Resistive Switching Memories
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Emerging Resistive Switching Memories
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Emerging Resistive Switching Memories
Edité par
Springer International Publishing Jul 2016, 2016
ISBN 10 : 3319315706
ISBN 13 : 9783319315706
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Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Allemagne
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices. 104 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783319315706
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Emerging Resistive Switching Memories
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Emerging Resistive Switching Memories (Paperback or Softback)
Edité par
Springer 7/11/2016, 2016
ISBN 10 : 3319315706
ISBN 13 : 9783319315706
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Resistive Switching Memory Devices with Nanoparticles (SpringerBriefs in Materials)
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Emerging Resistive Switching Memories
Edité par
Springer, 2016
ISBN 10 : 3319315706
ISBN 13 : 9783319315706
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Resistive Switching Memory Devices with Nanoparticles (SpringerBriefs in Materials)
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Resistive Switching Memory Devices with Nanoparticles (SpringerBriefs in Materials)
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