Articles liés à Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency...
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion - Couverture rigide
Livre 33 sur 34: Integrated Circuits and Systems
Synopsis
Provides single-source reference to Gallium Nitride (GaN)-based technologies, from the device level to circuit level, both for drivers and power conversions architectures
Demonstrates how GaN may be a superior technology for switching devices, enabling both high frequency and high efficiency power conversion
Enables design of smaller and more efficient power supplies
Les informations fournies dans la section « Synopsis » peuvent faire référence à une autre édition de ce titre.
À propos de l'auteur
Gaudenzio Meneghesso is full professor at the University of Padova, Department of Information engineering. His research interests involve electrical characterization, modeling and reliability of semiconductors devices.
Matteo Meneghini is researcher at the University of Padova, Department of Information engineering. His research interests involve electrical characterization, modeling and reliability of semiconductors devices. Enrico Zanoni is full professor at the University of Padova, Department of Information engineering. His research interests involve electrical characterization, modeling and reliability of semiconductors devices.Les informations fournies dans la section « A propos du livre » peuvent faire référence à une autre édition de ce titre.
Résultats de recherche pour Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency...
Image d'archives
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (eng)
impression à la demandeVendeur : Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, Italie
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Etat : new. Questo è un articolo print on demand. N° de réf. du vendeur bdbcab13ab6e517091b994f9301d6134
Acheter neuf
EUR 126,26
Expédition à EUR 6,80
Expédition depuis Italie vers Etats-Unis
Expédition depuis Italie vers Etats-Unis
Quantité disponible : Plus de 20 disponibles
Image d'archives
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (Integrated Circuits and Systems)
Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Etat : New. In English. N° de réf. du vendeur ria9783319779935_new
Acheter neuf
EUR 159,33
Expédition à EUR 13,41
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-Unis
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-Unis
Quantité disponible : Plus de 20 disponibles
Image d'archives
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Etat : New. N° de réf. du vendeur 31818912-n
Acheter neuf
EUR 175,46
Expédition à EUR 2,38
Expédition nationale : Etats-Unis
Expédition nationale : Etats-Unis
Quantité disponible : 15 disponible(s)
Image fournie par le vendeur
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
Edité par
Springer International Publishing, 2018
ISBN 10 : 3319779931
ISBN 13 : 9783319779935
Neuf
Couverture rigide
Vendeur : moluna, Greven, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Gebunden. Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Provides single-source reference to Gallium Nitride (GaN)-based technologies, from the material level to circuit level, both for power conversions architectures and switched mode power amplifiersDemonstrates how GaN is a superior technology for sw. N° de réf. du vendeur 221458735
Acheter neuf
EUR 132,75
Expédition à EUR 48,99
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Quantité disponible : Plus de 20 disponibles
Image fournie par le vendeur
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
ISBN 10 : 3319779931
ISBN 13 : 9783319779935
Neuf
Couverture rigide
Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Buch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book demonstrates to readers why Gallium Nitride (GaN) transistors have a superior performance as compared to the already mature Silicon technology. The new GaN-based transistors here described enable both high frequency and high efficiency power conversion, leading to smaller and more efficient power systems. Coverage includes i) GaN substrates and device physics; ii) innovative GaN -transistors structure (lateral and vertical); iii) reliability and robustness of GaN-power transistors; iv) impact of parasitic on GaN based power conversion, v) new power converter architectures and vi) GaN in switched mode power conversion.Provides single-source reference to Gallium Nitride (GaN)-based technologies, from the material level to circuit level, both for power conversions architectures and switched mode power amplifiers;Demonstrates how GaN is a superior technology for switching devices, enabling both high frequency, high efficiency andlower cost power conversion;Enables design of smaller, cheaper and more efficient power supplies. 248 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783319779935
Acheter neuf
EUR 160,49
Expédition à EUR 23
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Quantité disponible : 2 disponible(s)
Image d'archives
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
Edité par
Springer, 2018
ISBN 10 : 3319779931
ISBN 13 : 9783319779935
Ancien ou d'occasion
Couverture rigide
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Etat : As New. Unread book in perfect condition. N° de réf. du vendeur 31818912
Acheter D'occasion
EUR 194,68
Expédition à EUR 2,38
Expédition nationale : Etats-Unis
Expédition nationale : Etats-Unis
Quantité disponible : 15 disponible(s)
Image fournie par le vendeur
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
Edité par
Palgrave Macmillan, 2018
ISBN 10 : 3319779931
ISBN 13 : 9783319779935
Neuf
Couverture rigide
Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Buch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This book demonstrates to readers why Gallium Nitride (GaN) transistors have a superior performance as compared to the already mature Silicon technology. The new GaN-based transistors here described enable both high frequency and high efficiency power conversion, leading to smaller and more efficient power systems. Coverage includes i) GaN substrates and device physics; ii) innovative GaN -transistors structure (lateral and vertical); iii) reliability and robustness of GaN-power transistors; iv) impact of parasitic on GaN based power conversion, v) new power converter architectures and vi) GaN in switched mode power conversion.Provides single-source reference to Gallium Nitride (GaN)-based technologies, from the material level to circuit level, both for power conversions architectures and switched mode power amplifiers;Demonstrates how GaN is a superior technology for switching devices, enabling both high frequency, high efficiency andlower cost power conversion;Enables design of smaller, cheaper and more efficient power supplies. N° de réf. du vendeur 9783319779935
Acheter neuf
EUR 179,59
Expédition à EUR 35
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Quantité disponible : 1 disponible(s)
Image fournie par le vendeur
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
Edité par
Birkhäuser, Springer Mai 2018, 2018
ISBN 10 : 3319779931
ISBN 13 : 9783319779935
Neuf
Couverture rigide
Vendeur : buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Buch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Provides single-source reference to Gallium Nitride (GaN)-based technologies, from the device level to circuit level, both for drivers and power conversions architecturesDemonstrates how GaN may be a superior technology for switching devices, enabling both high frequency and high efficiency power conversionEnables design of smaller and more efficient power suppliesSpringer-Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 248 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783319779935
Acheter neuf
EUR 160,49
Expédition à EUR 60
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Quantité disponible : 1 disponible(s)
Image d'archives
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion (Integrated Circuits and Systems)
Vendeur : Books Puddle, Woodside, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
Etat : New. N° de réf. du vendeur 26384229689
Acheter neuf
EUR 238,39
Expédition à EUR 3,60
Expédition nationale : Etats-Unis
Expédition nationale : Etats-Unis
Quantité disponible : 4 disponible(s)
Image fournie par le vendeur
Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion
Edité par
Palgrave Macmillan, 2018
ISBN 10 : 3319779931
ISBN 13 : 9783319779935
Neuf
Couverture rigide
Vendeur : Home-set, Mannheim, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Gebundene Ausgabe. Etat : Neu. Provides single-source reference to Gallium Nitride (GaN)-based technologies, from the device level to circuit level, both for drivers and power conversions architectures Demonstrates how GaN may be a superior technology for switching devices, enabling both high frequency and high efficiency power conversion Enables design of smaller and more efficient power supplies Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 489. N° de réf. du vendeur IB-740981
Acheter neuf
EUR 200,61
Expédition à EUR 49,90
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Expédition depuis Allemagne vers Etats-Unis
Quantité disponible : 2 disponible(s)