Les semi-conducteurs composés II-VI sont d'une grande importance en raison de leur application dans divers appareils électro-optiques. Les films minces de ZnS trouvent beaucoup plus d'applications dans le domaine de la fabrication d'appareils optoélectroniques tels que les diodes électroluminescentes UV, les diodes électroluminescentes bleues, les écrans plats émissifs, les appareils électroluminescents et le revêtement antireflet dans la technologie des cellules solaires. Plusieurs méthodes ont été utilisées pour préparer des films minces ZnS. Nous avons déposé des films ZnS en utilisant la méthode de dépôt chimique par bain en utilisant de l'hydroxyde de sodium comme agent complexant. Les caractéristiques structurelles et morphologiques des films ont été étudiées par diffraction des rayons X (XRD) et microscope électronique à balayage. XRD montre que le film déposé était de nature polycristalline avec une structure cubique. La taille des grains est estimée à l'ordre de 35 à 70 nm. La cristallinité du film ZnS a été analysée par HRTEM à l'aide du motif de diffraction électronique. Les films présentent de bonnes propriétés optiques avec une transmission élevée dans la zone visible et la valeur de bande interdite a été trouvée 3,3 eV - 2,1 eV. Les films ZnS peuvent être utilisés comme couches tampons sur les cellules solaires CdTe.
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The II-VI compound semiconductors are of great importance due to their application in various electro-optic devices. Thin films of ZnS find many more applications in the area of opto electronic device fabrication like UV light emitting diodes, blue light emitting diodes, emissive flat screens, electroluminescent devices and antireflection coating in solar cell technology. Several methods have been used to prepare ZnS thin films. We have deposited ZnS films using chemical bath deposition method using sodium hydroxide as a complexing agent. The structural and morphological characteristics of films have been investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope. XRD shows deposited film was polycrystalline nature with cubic structure. The grain size is estimated to be in the range of 35-70 nm. The crystallinity of the ZnS film was analysed by HRTEM with the help of the electron diffraction pattern. The films show good optical properties with high transmittance in the visible region and the band gap value were found 3.3 eV ¿ 2.1 eV. ZnS films can be used as buffer layers on CdTe solar cells. 60 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783330062443
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The II-VI compound semiconductors are of great importance due to their application in various electro-optic devices. Thin films of ZnS find many more applications in the area of opto electronic device fabrication like UV light emitting diodes, blue light emitting diodes, emissive flat screens, electroluminescent devices and antireflection coating in solar cell technology. Several methods have been used to prepare ZnS thin films. We have deposited ZnS films using chemical bath deposition method using sodium hydroxide as a complexing agent. The structural and morphological characteristics of films have been investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope. XRD shows deposited film was polycrystalline nature with cubic structure. The grain size is estimated to be in the range of 35-70 nm. The crystallinity of the ZnS film was analysed by HRTEM with the help of the electron diffraction pattern. The films show good optical properties with high transmittance in the visible region and the band gap value were found 3.3 eV - 2.1 eV. ZnS films can be used as buffer layers on CdTe solar cells.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 60 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783330062443
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Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The II-VI compound semiconductors are of great importance due to their application in various electro-optic devices. Thin films of ZnS find many more applications in the area of opto electronic device fabrication like UV light emitting diodes, blue light emitting diodes, emissive flat screens, electroluminescent devices and antireflection coating in solar cell technology. Several methods have been used to prepare ZnS thin films. We have deposited ZnS films using chemical bath deposition method using sodium hydroxide as a complexing agent. The structural and morphological characteristics of films have been investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope. XRD shows deposited film was polycrystalline nature with cubic structure. The grain size is estimated to be in the range of 35-70 nm. The crystallinity of the ZnS film was analysed by HRTEM with the help of the electron diffraction pattern. The films show good optical properties with high transmittance in the visible region and the band gap value were found 3.3 eV - 2.1 eV. ZnS films can be used as buffer layers on CdTe solar cells. N° de réf. du vendeur 9783330062443
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Taschenbuch. Etat : Neu. Studies and Characterization of ZnS Thin Films | Arunkumar Alagesan | Taschenbuch | Englisch | 2017 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783330062443 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand. N° de réf. du vendeur 120563711
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