Icns-4: Proceedings of the Fourth International Conference on Nitride Semiconductors - Couverture rigide

Couverture rigide

ISBN 10 : 3527403477 ISBN 13 : 9783527403479

Editeur : Wiley-VCH Verlag GmbH, 2002

Synopsis

Tous les aspects des systèmes semi-conducteurs au nitrure et des matériaux connexes sont présentés dans ces actes de la quatrième Conférence internationale sur les semi-conducteurs de nitrure (ICNS-4). Les chercheurs actifs en nitrure présentent leurs derniers résultats sur tous les aspects des systèmes semi-conducteurs de nitrure, qui incluent des composés impliquant AlInGaN, GaNAsP, AlSiCN et d'autres matériaux contenant de l'azote comme l'un des principaux constituants. Les auteurs couvrent les développements scientifiques et technologiques associés à ces matériaux, leur traitement et leurs appareils, pour des domaines technologiques tels que l'optoélectronique, l'électronique haute température, etc.

ICNS-4 se tient à Denver, Colorado, en 2001 et suit l'ICNS-1 tenue à Boston et Nagoya (1995); ICNS-2 à Tokushima, Japon; et ICNS-3 à Montpellier, France (1999).

Les domaines thématiques inclus sont les suivants :
– Synthèse (substrats, précurseurs, cristaux en vrac, épitaxie, dopage, hétérostructures, regrowht, alliages)
– Science fondamentale (structure de bande, modélisation des propriétés physiques, effet de taille quantique, effet de déformation, phénomènes de surface)
– Caractérisation (détermination de la structure, électrique, optique, etc. propriétés)
– Traitement (gravure (sèche, humide), clivage, revêtements à haute réflexion, ohmique, contacts, contacts Schottky)
– Appareils (optoélectronique, haute puissance, haute température, applications)

A propos du livre

Présentation de l'éditeur

All aspects of nitride semiconductor systems and related materials are presented in these proceedings of the Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS–4). Active nitride researchers present their latest results on all aspects of nitride semiconductor systems, which include compounds involving AlInGaN, GaNAsP, AlSiCN and other materials containing nitrogen as one of the major constituents. The authors cover scientific and technological developments associated with these materials, their processing and devices; for technological areas such as optoelectronics, high temperature electronics, etc.

ICNS–4 is held in Denver, Colorado, in 2001 and follows the ICNS–1 held in Boston and Nagoya (1995); ICNS–2 in Tokushima, Japan; and ICNS–3 in Montpellier, France (1999).

The topical areas included are as follows:
– Synthesis (substrates, precursors, bulk crystals, epitaxy, doping, heterostructures, regrowht, alloys)
– Fundamental Science (band structure, modeling of physical properties, quantum size effect, strain effect, surface phenomena)
– Characterization (determination of the structural, electrical, optical, etc. properties)
– Processing (etching (dry, wet), cleaving, high reflection coatings, ohmic, contacts, Schottky contacts)
– Devices (optoelectronics, high power, and high temperature, applications)

Détails de l'édition

• Éditeur: Wiley-VCH Verlag GmbH
• Date d'édition: 2002
• Langue: anglais
• ISBN 10: 3527403477
• ISBN 13: 9783527403479
• Reliure: Relié
• Numéro d'édition: 1
• Nombre de pages: 1592
• Éditeur: Ponce Fernando A., Bell Abigail
• Coordonnées du fabricant: non disponible
• Personne responsable: non disponible