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Synopsis
Issues relating to the high-K gate dielectric are among the greatest challenges for the evolving International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). More than just an historical overview, this book will assess previous and present approaches related to scaling the gate dielectric and their impact, along with the creative directions and forthcoming challenges that will define the future of gate dielectric scaling technology.
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High Dielectric Constant Materials
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Springer Berlin Heidelberg, 2004
ISBN 10 : 3540210814
ISBN 13 : 9783540210818
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Gebunden. Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. High-dielectric-constant materials have a huge potential for applications in microelectronic devices. This book provides the most comprehensive survey on their properties, processing and applicationsIssues relating to the high-K gate dielec. N° de réf. du vendeur 4885003
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High Dielectric Constant Materials : VLSI MOSFET Applications
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High Dielectric Constant Materials
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Buch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Issues relating to the high-K gate dielectric are among the greatest challenges for the evolving International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). More than just an historical overview, this book will assess previous and present approaches related to scaling the gate dielectric and their impact, along with the creative directions and forthcoming challenges that will define the future of gate dielectric scaling technology. Topics include: an extensive review of Moore's Law, the classical regime for SiO2 gate dielectrics; the transition to silicon oxynitride gate dielectrics; the transition to high-K gate dielectrics (including the drive towards equivalent oxide thickness in the single-digit nanometer regime); and future directions and issues for ultimate technology generation scaling. The vision, wisdom, and experience of the team of authors will make this book a timely, relevant, and interesting, resource focusing on fundamentals of the 45 nm Technology Generation and beyond. 710 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783540210818
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High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications (Springer Series in Advanced Microelectronics, 16)
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High Dielectric Constant Materials : VLSI MOSFET Applications
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High Dielectric Constant Materials : VLSI MOSFET Applications
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Buch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Issues relating to the high-K gate dielectric are among the greatest challenges for the evolving International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). More than just an historical overview, this book will assess previous and present approaches related to scaling the gate dielectric and their impact, along with the creative directions and forthcoming challenges that will define the future of gate dielectric scaling technology. Topics include: an extensive review of Moore's Law, the classical regime for SiO2 gate dielectrics; the transition to silicon oxynitride gate dielectrics; the transition to high-K gate dielectrics (including the drive towards equivalent oxide thickness in the single-digit nanometer regime); and future directions and issues for ultimate technology generation scaling. The vision, wisdom, and experience of the team of authors will make this book a timely, relevant, and interesting, resource focusing on fundamentals of the 45 nm Technology Generation and beyond. N° de réf. du vendeur 9783540210818
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