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Thermodynamic Basis of Crystal Growth: P-T-X Physe Equilibrium and Non-Stoichiometry - Couverture rigide
Livre 63 sur 233: Springer Series in Materials Science
Synopsis
This book presents a new and promising technique to grow single crystalline compound semiconductor materials with defined stoichometry. It appeals to researchers, engineers and advanced students.
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Thermodynamic Basis of Crystal Growth
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Springer Berlin Heidelberg, 2001
ISBN 10 : 3540412468
ISBN 13 : 9783540412465
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Gebunden. Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. The reader will benefit from learning about the recent achievements in the preparation of inorganic materials using controlled stoichiometryThe book is abundantly illustrated with P-T-X diagrams of inorganic materialsThis book presents a new . N° de réf. du vendeur 4889176
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Thermodynamic Basis of Crystal Growth : P-T-X Physe Equilibrium and Non-Stoichiometry
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Thermodynamic Basis of Crystal Growth : P-T-X Physe Equilibrium and Non-Stoichiometry
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Thermodynamic Basis of Crystal Growth
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Thermodynamic Basis of Crystal Growth: P-T-X Phase Equilibrium and Non-Stoichiometry (Springer Series in Materials Science, 44, Band 44)
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Springer, 2001
ISBN 10 : 3540412468
ISBN 13 : 9783540412465
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Thermodynamic Basis of Crystal Growth : P-T-X Physe Equilibrium and Non-Stoichiometry
Edité par
Springer, 2001
ISBN 10 : 3540412468
ISBN 13 : 9783540412465
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Thermodynamic Basis of Crystal Growth: Phase P T X Equilibrium and Non Stoichometry
Edité par
Springer, 2001
ISBN 10 : 3540412468
ISBN 13 : 9783540412465
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Thermodynamic Basis of Crystal Growth : P-T-X Physe Equilibrium and Non-Stoichiometry
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Springer, 2001
ISBN 10 : 3540412468
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