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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties - Couverture rigide
Livre 7 sur 110: Engineering Materials
Synopsis
Reviewing the state-of-the-art in the field, this volume describes the importance of mobile ions presented in oxide structures. The text defines the MOS structure, and provides an overview of onic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides.
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Reviewing the state-of-the-art in the field, this volume describes the importance of mobile ions presented in oxide structures. The text defines the MOS structure, and provides an overview of onic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides.
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Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials
Edité par
Berlin ; Heidelberg : Springer, 2011
ISBN 10 : 3642163033
ISBN 13 : 9783642163036
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Gr.-8°, gebundene Ausgabe. Etat : Sehr gut. XIII, 104 S. : graph. Darst. Gebraucht: sehr guter Zustand. Contents: Introduction / The MOS STructure / The MOS Oxide and its Defects / Review of Transport Mechanism in Thin Oxides / of MOS Devices / Experimental Techniques / Theoretical Approaches of Mobile Ions Density Distribution Determination / Theoretical Model of Mobile Ions Distribution and Ionic Current in the MOS Oxide / Index. Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 315. N° de réf. du vendeur 101994
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Transport In Metal-oxide-semiconductor Structures: Mobile Ions Effects On The Oxide Properties (engineering Materials)
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Transport In Metal-oxide-semiconductor Structures: Mobile Ions Effects On The Oxide Properties (engineering Materials)
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures (eng)
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures : Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties (Engineering Materials)
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures
Edité par
Springer Berlin Heidelberg Jan 2011, 2011
ISBN 10 : 3642163033
ISBN 13 : 9783642163036
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Buch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures. 120 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783642163036
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures : Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Edité par
J.B. Metzler, 2011
ISBN 10 : 3642163033
ISBN 13 : 9783642163036
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Etat : Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures. N° de réf. du vendeur 9254899/1
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties (Engineering Materials)
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures : Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
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