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Impurities Confined in Quantum Structures - Couverture souple

 
9783642622281: Impurities Confined in Quantum Structures

Synopsis

The dramatic impact of low dimensional semiconductor structures on c- rent and future device applications cannot be overstated. Research over the last decade has highlighted the use of quantum engineering to achieve p- viously unknown limits for device performance in research laboratories. The modi?ed electronic structure of semiconductor quantum structures results in transport and optical properties, which di?er from those of constituent bulk materials. The possibility to tailor properties, such as bandgap, strain, band o?set etc. , of two-dimensional (2D) semiconductors, e. g. quantum wells, for speci?c purposes has had an extensive impact on the electronics, which has resulted in a dramatic renewal process. For instance, 2D structures are today used in a large number of high speed electronics and optoelectronic appli- tions (e. g. detectors, light emitting diodes, modulators, switches and lasers) and in daily life, in e. g. LED-based tra?c lights, CD-players, cash registers. The introduction of impurities, also in very small concentrations, in a semiconductor can change its optical and electrical properties entirely. This attribute of the semiconductor is utilized in the manifoldness of their app- cations. This fact constitutes the principal driving force for investigation of the properties of the impurities in semiconductors. While the impurities in bulk materials have been investigated for a long time, and their properties are fairly well established by now, the corresponding studies of impurities in quantum wells is a more recent research area.

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9783540223207: Impurities Confined In Quantum Structures

Edition présentée

ISBN 10 :  3540223207 ISBN 13 :  9783540223207
Editeur : Springer-Verlag Berlin and Heide..., 2004
Couverture rigide

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Holtz, Olof; Zhao, Qing Xiang
Edité par Springer, 2012
ISBN 10 : 3642622283 ISBN 13 : 9783642622281
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Olof Holtz
ISBN 10 : 3642622283 ISBN 13 : 9783642622281
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Paperback. Etat : new. Paperback. The dramatic impact of low dimensional semiconductor structures on c- rent and future device applications cannot be overstated. Research over the last decade has highlighted the use of quantum engineering to achieve p- viously unknown limits for device performance in research laboratories. The modi?ed electronic structure of semiconductor quantum structures results in transport and optical properties, which di?er from those of constituent bulk materials. The possibility to tailor properties, such as bandgap, strain, band o?set etc. , of two-dimensional (2D) semiconductors, e. g. quantum wells, for speci?c purposes has had an extensive impact on the electronics, which has resulted in a dramatic renewal process. For instance, 2D structures are today used in a large number of high speed electronics and optoelectronic appli- tions (e. g. detectors, light emitting diodes, modulators, switches and lasers) and in daily life, in e. g. LED-based tra?c lights, CD-players, cash registers. The introduction of impurities, also in very small concentrations, in a semiconductor can change its optical and electrical properties entirely. This attribute of the semiconductor is utilized in the manifoldness of their app- cations. This fact constitutes the principal driving force for investigation of the properties of the impurities in semiconductors. While the impurities in bulk materials have been investigated for a long time, and their properties are fairly well established by now, the corresponding studies of impurities in quantum wells is a more recent research area. The dramatic impact of low dimensional semiconductor structures on c- rent and future device applications cannot be overstated. The modi?ed electronic structure of semiconductor quantum structures results in transport and optical properties, which di?er from those of constituent bulk materials. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability. N° de réf. du vendeur 9783642622281

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Holtz, Olof; Zhao, Qing Xiang
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Holtz, Olof
Edité par Springer 2012-11, 2012
ISBN 10 : 3642622283 ISBN 13 : 9783642622281
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Qing Xiang Zhao
ISBN 10 : 3642622283 ISBN 13 : 9783642622281
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Olof Holtz|Qing Xiang Zhao
Edité par Springer Berlin Heidelberg, 2012
ISBN 10 : 3642622283 ISBN 13 : 9783642622281
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Qing Xiang Zhao Olof Holtz
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Zhao Qing Xiang Holtz Olof
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Zhao Qing Xiang Holtz Olof
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