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Strain-induced Effects in Advanced MOSFETs - Couverture rigide

Livre 3 sur 17: Computational Microelectronics

Sverdlov, Viktor

 
9783709103814: Strain-induced Effects in Advanced MOSFETs
Couverture rigide
ISBN 10 : 3709103819 ISBN 13 : 9783709103814
Editeur : Springer Verlag GmbH, 2010

Synopsis

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

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Présentation de l'éditeur

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

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Éditeur
Springer Verlag GmbH
Date d'édition
2010
Langue
anglais
ISBN 10 
3709103819
ISBN 13 
9783709103814
Reliure
Relié
Nombre de pages
266
Coordonnées du fabricant
Springer Nature Customer Service Center GmbH
ProductSafety@springernature.com

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