Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Couverture souple
Livre 3 sur 17: Computational Microelectronics
Synopsis
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Présentation de l'éditeur
This book covers modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is explored in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. Includes a rigorous overview of transport modeling.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
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Springer Vienna Aug 2016, 2016
ISBN 10 : 3709119332
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