Flux Profile Modeling using Monte Carlo Simulation: A simulation tool for deposition processess using Molecular Beam Epitaxy - Couverture souple
Synopsis
Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a process by which semiconductor films are grown on the substrate by physical vapor deposition of the source material in an ultra high vacuum environment. Spatial variations in flux are a result of the shape of the crucible and the geometry of the growth chamber. A process simulation tool for MBE based on a phenomenological model is proposed and elaborated. The tool can be used in industry to simulate the effusion and deposition of molecular beams by taking into account different parameters that influence the process. Additionally, it can generate deposition profiles created by effusing flux species, on the platen containing the wafers.
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Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a process by which semiconductor films are grown on the substrate by physical vapor deposition of the source material in an ultra high vacuum environment. Spatial variations in flux are a result of the shape of the crucible and the geometry of the growth chamber. A process simulation tool for MBE based on a phenomenological model is proposed and elaborated. The tool can be used in industry to simulate the effusion and deposition of molecular beams by taking into account different parameters that influence the process. Additionally, it can generate deposition profiles created by effusing flux species, on the platen containing the wafers.
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Flux Profile Modeling using Monte Carlo Simulation
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LAP LAMBERT Academic Publishing Jun 2010, 2010
ISBN 10 : 3838369386
ISBN 13 : 9783838369389
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a process by which semiconductor films are grown on the substrate by physical vapor deposition of the source material in an ultra high vacuum environment. Spatial variations in flux are a result of the shape of the crucible and the geometry of the growth chamber. A process simulation tool for MBE based on a phenomenological model is proposed and elaborated. The tool can be used in industry to simulate the effusion and deposition of molecular beams by taking into account different parameters that influence the process. Additionally, it can generate deposition profiles created by effusing flux species, on the platen containing the wafers. 104 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783838369389
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Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Vijayagopal RamprasadR. Vijayagopal received his masters degree in electrical engineering from the University of Nevada in 2004 and the University of Minnesota in 2006. His graduate thesis work at the University of Nevada has been. N° de réf. du vendeur 5417251
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a process by which semiconductor films are grown on the substrate by physical vapor deposition of the source material in an ultra high vacuum environment. Spatial variations in flux are a result of the shape of the crucible and the geometry of the growth chamber. A process simulation tool for MBE based on a phenomenological model is proposed and elaborated. The tool can be used in industry to simulate the effusion and deposition of molecular beams by taking into account different parameters that influence the process. Additionally, it can generate deposition profiles created by effusing flux species, on the platen containing the wafers.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 104 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783838369389
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Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a process by which semiconductor films are grown on the substrate by physical vapor deposition of the source material in an ultra high vacuum environment. Spatial variations in flux are a result of the shape of the crucible and the geometry of the growth chamber. A process simulation tool for MBE based on a phenomenological model is proposed and elaborated. The tool can be used in industry to simulate the effusion and deposition of molecular beams by taking into account different parameters that influence the process. Additionally, it can generate deposition profiles created by effusing flux species, on the platen containing the wafers. N° de réf. du vendeur 9783838369389
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Flux Profile Modeling using Monte Carlo Simulation | A simulation tool for deposition processess using Molecular Beam Epitaxy
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ISBN 10 : 3838369386
ISBN 13 : 9783838369389
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Taschenbuch. Etat : Neu. Flux Profile Modeling using Monte Carlo Simulation | A simulation tool for deposition processess using Molecular Beam Epitaxy | Ramprasad Vijayagopal (u. a.) | Taschenbuch | 104 S. | Englisch | 2010 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783838369389 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu. N° de réf. du vendeur 101044375
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