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Synopsis
Les hétéro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au désaccord de maille entre les deux matériaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est dû au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une énergie de surface plus importante et donc un coût en énergie de surface des facettes d'îlots 3D plus petit. Ceci peut être décrit par des calculs de type ab-initio qui consiste à calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd.
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À propos de l'auteur
Né le 12 Septembre 1978 à Tlemcen en Algérie, Benali RERBAL est Docteur en Physique de la Matière Condensée et des Semiconducteurs et occupe le poste d'enseignant chercheur à l'Université Abou-Bakr Belkaïd de Tlemcen. Ces recherches s'axent sur les études ab-initio des nanostructures II-VI.
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Etude ab-initio de la surface du CdTe
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Éditions Universitaires Européennes Aug 2014, 2014
ISBN 10 : 3841737420
ISBN 13 : 9783841737427
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Les hétéro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au désaccord de maille entre les deux matériaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est dû au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une énergie de surface plus importante et donc un coût en énergie de surface des facettes d'îlots 3D plus petit. Ceci peut être décrit par des calculs de type ab-initio qui consiste à calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd. 108 pp. Französisch. N° de réf. du vendeur 9783841737427
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Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Les hétéro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au désaccord de maille entre les deux matériaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est dû au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une énergie de surface plus importante et donc un coût en énergie de surface des facettes d'îlots 3D plus petit. Ceci peut être décrit par des calculs de type ab-initio qui consiste à calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd. N° de réf. du vendeur 9783841737427
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Etude Ab-Initio de la Surface Du Cdte (Omn.Univ.Europ.)
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Éditions universitaires européennes, 2014
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Etude ab-initio de la surface du CdTe
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Taschenbuch. Etat : Neu. Etude ab-initio de la surface du CdTe | Benali Rerbal (u. a.) | Taschenbuch | 108 S. | Französisch | 2014 | Éditions universitaires européennes | EAN 9783841737427 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu. N° de réf. du vendeur 105110605
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Les hétéro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au désaccord de maille entre les deux matériaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est dû au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une énergie de surface plus importante et donc un coût en énergie de surface des facettes d'îlots 3D plus petit. Ceci peut être décrit par des calculs de type ab-initio qui consiste à calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 108 pp. Französisch. N° de réf. du vendeur 9783841737427
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