ZnCdSe Cladded Quantum Dot Based EL and Nonvolatile Memory Devices: QD Nucleation and Device Fabrication - Couverture souple
Synopsis
This book presents devices which are fabricated using high energy gap ZnyCd1-ySe cladded ZnxCd1-xSe quantum dots (y
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Biographie de l'auteur
Fuad Al-Amoody obtained his PhD from University of Connecticut in Electrical Engineering with a concentration in Nanophotonics and devices. He also has a double major in Physics and Computer science and minor in Mathematics from Southern Connecticut State University. He is currently employed as an Engineer at Intel Corp.
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This book presents devices which are fabricated using high energy gap ZnyCd1-ySe cladded ZnxCd1-xSe quantum dots (y
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ZnCdSe Cladded Quantum Dot Based EL and Nonvolatile Memory Devices
Edité par
LAP LAMBERT Academic Publishing Mrz 2012, 2012
ISBN 10 : 3848448300
ISBN 13 : 9783848448302
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book presents devices which are fabricated using high energy gap ZnyCd1-ySe cladded ZnxCd1-xSe quantum dots (yx). These QDs are pseudomorphic (nearly lattice-matched core and the shell of the dot)in nature which makes them have less stress and dislocation. The QD devices are unique as they utilize the pseudomorphic structure of these QDs. One of the devices mentioned in this book is a floating quantum dot gate nonvolatile memory where cladded ZnCdSe quantum dots are deposited on single crystalline gate insulator (ZnMgS/ZnMgSe). The cladded dots are grown using a novel improved methodology of photo-assisted microwave plasma metalorganic chemical vapor deposition (PMP-MOCVD) enhanced reactor. The composition of quantum dot cladding, which relates to the value of y in ZnyCd1-ySe, is engineered by the intensity of ultraviolet light which controls the incorporation of zinc in ZnCdSe. The quantum dot quality is comparable to those deposited by other methods. Characteristics and modeling of the II-VI quantum dots, as well as, two diverse types of devices are presented in this book. Also the fabrication of the QDs and the devices will be talked about in detail. 128 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783848448302
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ZnCdSe Cladded Quantum Dot Based EL and Nonvolatile Memory Devices
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LAP LAMBERT Academic Publishing, 2012
ISBN 10 : 3848448300
ISBN 13 : 9783848448302
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Vendeur : moluna, Greven, Allemagne
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Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: Al-Amoody FuadFuad Al-Amoody obtained his PhD from University of Connecticut in Electrical Engineering with a concentration in Nanophotonics and devices. He also has a double major in Physics and Computer science and minor in Mathema. N° de réf. du vendeur 5522941
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ZnCdSe Cladded Quantum Dot Based EL and Nonvolatile Memory Devices
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LAP LAMBERT Academic Publishing Mär 2012, 2012
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ISBN 13 : 9783848448302
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -This book presents devices which are fabricated using high energy gap ZnyCd1-ySe cladded ZnxCd1-xSe quantum dots (yVDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 128 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9783848448302
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ZnCdSe Cladded Quantum Dot Based EL and Nonvolatile Memory Devices : QD Nucleation and Device Fabrication
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LAP LAMBERT Academic Publishing, 2012
ISBN 10 : 3848448300
ISBN 13 : 9783848448302
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Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This book presents devices which are fabricated using high energy gap ZnyCd1-ySe cladded ZnxCd1-xSe quantum dots (yx). These QDs are pseudomorphic (nearly lattice-matched core and the shell of the dot)in nature which makes them have less stress and dislocation. The QD devices are unique as they utilize the pseudomorphic structure of these QDs. One of the devices mentioned in this book is a floating quantum dot gate nonvolatile memory where cladded ZnCdSe quantum dots are deposited on single crystalline gate insulator (ZnMgS/ZnMgSe). The cladded dots are grown using a novel improved methodology of photo-assisted microwave plasma metalorganic chemical vapor deposition (PMP-MOCVD) enhanced reactor. The composition of quantum dot cladding, which relates to the value of y in ZnyCd1-ySe, is engineered by the intensity of ultraviolet light which controls the incorporation of zinc in ZnCdSe. The quantum dot quality is comparable to those deposited by other methods. Characteristics and modeling of the II-VI quantum dots, as well as, two diverse types of devices are presented in this book. Also the fabrication of the QDs and the devices will be talked about in detail. N° de réf. du vendeur 9783848448302
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ZnCdSe Cladded Quantum Dot Based EL and Nonvolatile Memory Devices | QD Nucleation and Device Fabrication
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LAP LAMBERT Academic Publishing, 2012
ISBN 10 : 3848448300
ISBN 13 : 9783848448302
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Taschenbuch. Etat : Neu. ZnCdSe Cladded Quantum Dot Based EL and Nonvolatile Memory Devices | QD Nucleation and Device Fabrication | Fuad Al-Amoody | Taschenbuch | 128 S. | Englisch | 2012 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783848448302 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu. N° de réf. du vendeur 106531739
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ZnCdSe Cladded Quantum Dot Based EL and Nonvolatile Memory Devices: QD Nucleation and Device Fabrication
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LAP LAMBERT Academic Publishing, 2012
ISBN 10 : 3848448300
ISBN 13 : 9783848448302
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