CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit - Couverture souple

Gupta, Rohin; Gill, S S; Kaur, Navneet

 
9786208331986: CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit
Couverture souple
ISBN 10 : 6208331986 ISBN 13 : 9786208331986
Editeur : Verlag Unser Wissen, 2024

Synopsis

In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger Fläche ein als eine herkömmliche 6T-SRAM-Zelle. Der Leckstrom dieser Zelle ist im Vergleich zu anderen 5T- oder herkömmlichen 6T-Zellen sehr niedrig. Für diese Zelle ist wie bei einer herkömmlichen 6T-SRAM-Zelle eine Vorladeschaltung erforderlich. Diese Zelle ist außerdem energieeffizient. Die Ergebnisse zeigen außerdem, dass die in dieser Zelle gespeicherten Daten äußerst stabil sind. Bei jeder Art von Schaltkreis oder Anwendung gibt es immer Raum für Verbesserungen. Mit der vorgeschlagenen Konfiguration können wir sie mit verschiedenen Techniken verbessern. Wir können das Seitenverhältnis der Zelle ändern, um bessere Ergebnisse zu erzielen. Wir können Taktgatter für einen energieeffizienten Schaltkreis anwenden. Wir können den Peripherieschaltkreis für eine bessere Leistung verbessern.

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Éditeur
Verlag Unser Wissen
Date d'édition
2024
Langue
allemand
ISBN 10 
6208331986
ISBN 13 
9786208331986
Reliure
Broché
Nombre de pages
88
Coordonnées du fabricant
non disponible
Personne responsable
non disponible