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用于集成电路仿真和设计的FinFET建模 基于BSIM-CMG标准 [印度]尤盖希·辛格·楚罕(YogeshSinghChauhan) 机械工业出版社【正版书籍】 - Couverture souple

 
9787111659815: 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模 基于BSIM-CMG标准 [印度]尤盖希·辛格·楚罕(YogeshSinghChauhan) 机械工业出版社【正版书籍】
Couverture souple
ISBN 10 : 7111659813 ISBN 13 : 9787111659815
Langue
chinois
ISBN 10 
7111659813
ISBN 13 
9787111659815
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Broché
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9787111659815: 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模 基于BSIM-CMG标准 [印度]尤盖希·辛格·楚罕(YogeshSinghChauhan) 机械工业出版社【正版书籍】
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YOU GAI XI XIN GE CHU HAN ( Yogesh . Singh . Chauhan )
Edité par Machinery Industry Press, 2020
ISBN 10 : 7111659813 ISBN 13 : 9787111659815
Neuf paperback

Vendeur : liu xing, Nanjing, JS, Chine

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paperback. Etat : New. Language:Chinese.Paperback. Pub Date: 2020-10-01 Publisher: Machinery Industry Press As the feature size of integrated circuits enters the node below 28nm. the traditional planar MOSFET structure is no longer applicable. and the new three-dimensional transistor (FinFET) structure has gradually become Moore's Law An important guarantee for continuation.?This book starts with the principles and physical effects of the three-dimensional structure. and discusses in detail the background. principl. N° de réf. du vendeur NS055257

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