《CMOS集成电路设计手册》讨论了CMOS电路设计的工艺、设计流程、EDA工具手段以及数字、模拟集成电路设计,并给出了一些相关设计实例,内容介绍由浅入深。该著作涵盖了从模型到器件,从电路到系统的全面内容,是一本权威、综合的CMOS电路设计的工具书及参考书。《CMOS集成电路设计手册》英文原版书是作者近30年教学、科研经验的结晶,是CMOS集成电路设计领域的一本力作。《CMOS集成电路设计手册》已经过两次修订,目前为第3版,内容较第2版有了改进,补充了CMOS电路设计领域的一些新知识,使得本书较前一版内容更加详实。为了方便读者有选择性地学习,此次将《CMOS集成电路设计手册》分成3册出版,分别为基础篇、数字电路篇和模拟电路篇。本书作为基础篇,介绍了CMOS电路设计的工艺及基本电参数知识。本书可以作为CMOS基础知识的重要参考书,对工程师、科研人员及高校师生都有着较为重要的参考意义。目录第1章CMOS设计概述11.1CMOS集成电路的设计流程1制造21.2CMOS背景61.3SPICE概述8第2章阱332.1图形转移34n阱的图形转移372.2n阱版图设计37n阱的设计规则382.3电阻值计算39n阱电阻402.4n阱/衬底二极管412.4.1PN结物理学简介412.4.2耗尽层电容452.4.3存储或扩散电容472.4.4SPICE建模492.5n阱的RC延迟512.6双阱工艺54第3章金属层613.1焊盘61焊盘版图设计613.2金属层的版图设计643.2.1metal1和via1643.2.2金属层的寄生效应663.2.3载流极限693.2.4金属层设计规则703.2.5触点电阻713.3串扰和地弹723.3.1串扰723.3.2地弹733.4版图举例753.4.1焊盘版图II763.4.2金属层测试结构版图设计78第4章有源层和多晶硅层834.1使用有源层和多晶硅层进行版图设计83工艺流程894.2导线与多晶硅层和有源层的连接924.3静电放电(ESD)保护100第5章电阻、电容、MOSFET1055.1电阻1055.2电容1135.3MOSFET1165.4版图实例124第6章MOSFET工作原理1316.1MOSFET的电容回顾1316.2阈值电压1356.3MOSFET的IV特性1406.3.1工作在线性区的MOSFET1406.3.2饱和区1426.4MOSFET的SPICE模型1456.4.1SPICE仿真实例1496.4.2亚阈值电流1506.5短沟道MOSFET1526.5.1MOSFET缩比1536.5.2短沟道效应1546.5.3短沟道CMOS工艺的SPICE模型155第7章CMOS制备1657.1CMOS单元工艺步骤1657.1.1晶圆的制造1657.1.2热氧化1677.1.3掺杂工艺1687.1.4光刻1717.1.5薄膜去除1747.1.6薄膜沉积1777.2CMOS工艺集成1817.2.1前道工艺集成1837.2.2后道工艺集成2027.3后端工艺2137.4总结215第8章电噪声概述2178.1信号2178.1.1功率和能量2178.1.2功率谱密度2198.2电路噪声2228.2.
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paperback. Etat : New. Paperback. Pub Date :2014-02-01 Pages: 342 Language: Chinese Publisher: People Post Press CMOS IC Design Manual discusses the CMOS circuit design process. design flow. EDA tools and means of digital and analog integrated circuit design . and gives some examples of related design. content presentation elementary. The book covers everything from the model to the device. the full contents from the circuit to the system. is an authoritative reference book CMOS integrated circuit design and refere. N° de réf. du vendeur BX067732
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