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CMOS集成电路设计手册(第3版·基础篇) - Couverture souple

 
9787115337726: CMOS集成电路设计手册(第3版·基础篇)

Synopsis

《CMOS集成电路设计手册》讨论了CMOS电路设计的工艺、设计流程、EDA工具手段以及数字、模拟集成电路设计,并给出了一些相关设计实例,内容介绍由浅入深。该著作涵盖了从模型到器件,从电路到系统的全面内容,是一本权威、综合的CMOS电路设计的工具书及参考书。《CMOS集成电路设计手册》英文原版书是作者近30年教学、科研经验的结晶,是CMOS集成电路设计领域的一本力作。《CMOS集成电路设计手册》已经过两次修订,目前为第3版,内容较第2版有了改进,补充了CMOS电路设计领域的一些新知识,使得本书较前一版内容更加详实。为了方便读者有选择性地学习,此次将《CMOS集成电路设计手册》分成3册出版,分别为基础篇、数字电路篇和模拟电路篇。本书作为基础篇,介绍了CMOS电路设计的工艺及基本电参数知识。本书可以作为CMOS基础知识的重要参考书,对工程师、科研人员及高校师生都有着较为重要的参考意义。目录第1章CMOS设计概述11.1CMOS集成电路的设计流程1制造21.2CMOS背景61.3SPICE概述8第2章阱332.1图形转移34n阱的图形转移372.2n阱版图设计37n阱的设计规则382.3电阻值计算39n阱电阻402.4n阱/衬底二极管412.4.1PN结物理学简介412.4.2耗尽层电容452.4.3存储或扩散电容472.4.4SPICE建模492.5n阱的RC延迟512.6双阱工艺54第3章金属层613.1焊盘61焊盘版图设计613.2金属层的版图设计643.2.1metal1和via1643.2.2金属层的寄生效应663.2.3载流极限693.2.4金属层设计规则703.2.5触点电阻713.3串扰和地弹723.3.1串扰723.3.2地弹733.4版图举例753.4.1焊盘版图II763.4.2金属层测试结构版图设计78第4章有源层和多晶硅层834.1使用有源层和多晶硅层进行版图设计83工艺流程894.2导线与多晶硅层和有源层的连接924.3静电放电(ESD)保护100第5章电阻、电容、MOSFET1055.1电阻1055.2电容1135.3MOSFET1165.4版图实例124第6章MOSFET工作原理1316.1MOSFET的电容回顾1316.2阈值电压1356.3MOSFET的IV特性1406.3.1工作在线性区的MOSFET1406.3.2饱和区1426.4MOSFET的SPICE模型1456.4.1SPICE仿真实例1496.4.2亚阈值电流1506.5短沟道MOSFET1526.5.1MOSFET缩比1536.5.2短沟道效应1546.5.3短沟道CMOS工艺的SPICE模型155第7章CMOS制备1657.1CMOS单元工艺步骤1657.1.1晶圆的制造1657.1.2热氧化1677.1.3掺杂工艺1687.1.4光刻1717.1.5薄膜去除1747.1.6薄膜沉积1777.2CMOS工艺集成1817.2.1前道工艺集成1837.2.2后道工艺集成2027.3后端工艺2137.4总结215第8章电噪声概述2178.1信号2178.1.1功率和能量2178.1.2功率谱密度2198.2电路噪声2228.2.

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