本书由美国加州大学伯克利分校Jan M. Rabaey教授等人所著。全书共12章,分为三部分: 基本单元、电路设计和系统设计。本书在对MOS器件和连线的特性做了简要的介绍之后,深入分析了数字设计的核心__反相器,并逐步将这些知识延伸到组合逻辑电路、时序逻辑电路、控制器、运算电路以及存储器这些复杂数字电路与系统的设计中。为了反映数字集成电路设计进入深亚微米领域后正在发生的深刻变化,本书以CMOS工艺的实际电路为例,讨论了深亚微米器件效应、电路*优化、互连线建模和优化、信号完整性、时序分析、时钟分配、高性能和低功耗设计、设计验证、芯片测试和可测性设计等主题,着重探讨了深亚微米数字集成电路设计所面临的挑战和启示。
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Etat : Good. [ No Hassle 30 Day Returns ][ Ships Daily ] [ Underlining/Highlighting: NONE ] [ Writing: NONE ] [ Edition: Second ] Publisher: Pearson Pub Date: 1/1/2017 Binding: Paperback Pages: 505 Second edition. N° de réf. du vendeur 6937948
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paperback. Etat : New. Paperback. Pub Date: 2017-01-01 Pages: 524 Language: Chinese Publisher: electronic industry press This book by the university of California. Berkeley. Jan m. Rabaey professor and others.A total of 12 chapters. divided into three parts: the basic unit. circuit design and system design.The book of MOS devices and the attachment. N° de réf. du vendeur DO043513
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