Le manuel traite de la conception et de l'analyse des amplificateurs micro-ondes haute puissance et haute efficacité pour les communications, appropriés pour les étudiants de premier cycle, les étudiants de troisième cycle, les concepteurs de circuits pratiques et les chercheurs dans le domaine de l'électronique et de l'ingénierie de la communication. Ce livre couvre les bases des matériaux semi-conducteurs du groupe III-V et des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) basés sur GaAs et GaN, les plus adaptés aux amplificateurs de puissance micro-ondes et à ondes millimétriques nécessaires pour les systèmes de communication sans fil actuels et les stations de base mobiles 4G et 5G à venir. Le livre décrit la conception et l'analyse de classe classique d'opérations d'amplification telles que les classes A, B, AB, C et F. La couverture s'étend aux classes avancées de fonctionnement de l'amplificateur telles que la classe B continue étendue de classe B/Class-J, et les opérations continues étendues de classe F pour le haut débit, la puissance élevée et les performances à haut rendement. Les expressions analytiques sont dérivées pour les éléments de circuit et les paramètres de performance pour une compréhension claire et nécessaires à la conception pratique des amplificateurs de puissance. Chaque sujet est complété par des diagrammes schématiques, des expressions analytiques et des résultats tracés appropriés pour une compréhension claire.
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