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Microwave High Power High Efficiency Gan Amplifiers for Communication - Couverture souple

 
9789811962684: Microwave High Power High Efficiency Gan Amplifiers for Communication
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  • ÉditeurSpringer Verlag, Singapore
  • Date d'édition2023
  • ISBN 10 9811962685
  • ISBN 13 9789811962684
  • ReliureBroché
  • Numéro d'édition1
  • Nombre de pages260
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Subhash Chandra Bera
ISBN 10 : 9811962685 ISBN 13 : 9789811962684
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The textbook discusses design and analysis of microwave high power and high efficiency amplifiers for communications, appropriate for undergraduate, post-graduate students, practical circuit designers and researchers in the field of electronics and communication engineering. This book covers basics of III-V group semiconductor materials and GaAs and GaN based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) most suitable for microwave and mm wave power amplifiers required for present wireless communication systems and upcoming 4G and 5G mobile base stations. The book describes design and analysis of classical class of amplifier operations such as Class-A, B, AB, C and F. The coverage extends to advanced classes of amplifier operation such as extended continuous Class-B/Class-J, and extended continuous Class-F operations for broadband, high power and high efficiency performance. Analytical expressions are derived for circuit elements and performance parameters for clear understanding and required for practical design of power amplifiers. Each topic is supplemented with suitable schematic diagrams, analytical expressions and plotted results for clear understanding. 276 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9789811962684

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Subhash Chandra Bera
Edité par Springer Nature Singapore (2023)
ISBN 10 : 9811962685 ISBN 13 : 9789811962684
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Description du livre Taschenbuch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The textbook discusses design and analysis of microwave high power and high efficiency amplifiers for communications, appropriate for undergraduate, post-graduate students, practical circuit designers and researchers in the field of electronics and communication engineering. This book covers basics of III-V group semiconductor materials and GaAs and GaN based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) most suitable for microwave and mm wave power amplifiers required for present wireless communication systems and upcoming 4G and 5G mobile base stations. The book describes design and analysis of classical class of amplifier operations such as Class-A, B, AB, C and F. The coverage extends to advanced classes of amplifier operation such as extended continuous Class-B/Class-J, and extended continuous Class-F operations for broadband, high power and high efficiency performance. Analytical expressions are derived for circuit elements and performance parameters for clear understanding and required for practical design of power amplifiers. Each topic is supplemented with suitable schematic diagrams, analytical expressions and plotted results for clear understanding. N° de réf. du vendeur 9789811962684

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Bera, Subhash Chandra
ISBN 10 : 9811962685 ISBN 13 : 9789811962684
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Description du livre Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. The textbook discusses design and analysis of microwave high power and high efficiency amplifiers for communications, appropriate for undergraduate, post-graduate students, practical circuit designers and researchers in the field of electronics and communic. N° de réf. du vendeur 1228909496

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Bera, Subhash Chandra
Edité par Springer (2023)
ISBN 10 : 9811962685 ISBN 13 : 9789811962684
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Mispah books
(Redhill, SURRE, Royaume-Uni)
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Description du livre paperback. Etat : New. New. book. N° de réf. du vendeur ERICA80098119626856

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