CMOS Gate-Stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155 (Paperback)

Langue : anglais

Edité par Cambridge University Press, Cambridge, 2014

1107408326 / 9781107408326

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Paperback. To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.

N° de réf. du vendeur 9781107408326

Titre
CMOS Gate-Stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155 (Paperback)
Auteur
Alexander A. Demkov
Éditeur
Cambridge University Press, Cambridge
Année de publication
2014
État de l'article
new
Reliure
Paperback
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
1107408326
ISBN à 13 chiffres
9781107408326

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