Carrier Lifetime Dynamics of Epitaxial Layer HVPE Gallium Arsenide Using Time-Resolved Experiments

Langue : anglais

Edité par BIBLIOSCHOLAR, 2012

1288405650 / 9781288405657

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KlappentextrnrnGaAs is a potential semiconductor material for producing both mid-infrared and terahertz radiation using the new technique of quasi-phase matching in an orientationally patterned GaAs (OP-GaAs) crystal. OP-GaAs is grown using a fa.

Titre
Carrier Lifetime Dynamics of Epitaxial Layer HVPE Gallium Arsenide Using Time-Resolved Experiments
Auteur
Eikenberry, Wayne E.
Éditeur
BIBLIOSCHOLAR
Année de publication
2012
État de l'article
New
Reliure
Couverture souple
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
1288405650
ISBN à 13 chiffres
9781288405657

moluna

Greven, Allemagne

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