Design of RF CMOS Low Noise Amplifiers

Langue : anglais

Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing Mär 2010, 2010

3838349040 / 9783838349046

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Design of RF CMOS Low Noise Amplifiers presents the results of research on a gain-boosted common-gate RF low noise amplifier (LNA) in CMOS technology. The book covers noise analysis, design techniques, prototyping of the LNA, as well as broadband modeling for on-chip spiral differential inductors. Beginning with a technical review of LNA architectures and inductor modeling techniques, the authors then introduce a scalable lumped circuit model for octagonal differential inductors. The effect of high frequency current crowding, i.e. proximity effect, is taken into consideration in the lumped circuit model. Subsequently, the book offers comprehensive noise analysis of the LNA and discusses design techniques for noise reduction. Measurement results for a 2.4GHz CMOS LNA and conclusions are included. The book is intended for anyone who is interested in learning essentials of RF CMOS LNA design and basic mathematics of on-chip inductor broadband modeling. The book is also beneficial to engineers and researchers in CMOS RFIC design - especially for WLAN, Bluetooth, and emerging wireless communication applications.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 184 pp. Englisch.…

N° de réf. du vendeur 9783838349046

Titre
Design of RF CMOS Low Noise Amplifiers
Auteur
Changgui Lin
Éditeur
LAP LAMBERT Academic Publishing Mär 2010
Année de publication
2010
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
3838349040
ISBN à 13 chiffres
9783838349046
Poids de l'article
292 grammes
Dimensions
220x150x12 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Allemagne

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