Dielectric and Work Function Engineered Doping-Less Tunnel FET

Langue : anglais

Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing Aug 2020, 2020

620267203X / 9786202672030

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The perpetual downscaling of devices has achieved higher packaging density and faster switching performance. As the physical dimensions of FET device are scaled down consistently, many undesirable Short Channel Effects (SCEs) and subthreshold leakage current becomes more dominant and deteriorates the performance of the devices. The major driving force for the proposed book is to overcome all these above limitations with advancements in the materials science and semiconductor industry. Doping-Less Tunnel FET's (Junctionless Tunnel FET - JLTFET) have evolved as the most gratifying candidate. The absence of gradient doping concentration makes the fabrication process much simpler and offers low thermal budget. The high-K gate stack engineered device overcomes the SCEs caused by the ultrathin silicon devices. This book is designed to formulate a subthreshold model for Dual Metal Dielectric Engineered Doping-Less Tunnel FET by solving a two-dimensional Poisson's equation using Parabolic approximation method. Also, the impact of different high-K gate oxide materials with Silicon dioxide is also studied using TCAD Sentaurus device simulator. 200 pp. Englisch.…

N° de réf. du vendeur 9786202672030

Titre
Dielectric and Work Function Engineered Doping-Less Tunnel FET
Auteur
G. Lakshmi Priya
Éditeur
LAP LAMBERT Academic Publishing Aug 2020
Année de publication
2020
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
620267203X
ISBN à 13 chiffres
9786202672030
Poids de l'article
316 grammes
Dimensions
220x150x12 mm

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