Emerging Non-volatile Memory Technologies

Langue : anglais

Edité par Springer Verlag, Singapore, SG, 2021

981156910X / 9789811569104

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This book offers a balanced and comprehensive guide to the core principles, fundamental properties, experimental approaches, and state-of-the-art applications of two major groups of emerging non-volatile memory technologies, i.e. spintronics-based devices as well as resistive switching devices, also known as Resistive Random Access Memory (RRAM). The first section presents different types of spintronic-based devices, i.e. magnetic tunnel junction (MTJ), domain wall, and skyrmion memory devices. This section describes how their developments have led to various promising applications, such as microwave oscillators, detectors, magnetic logic, and neuromorphic engineered systems. In the second half of the book, the underlying device physics supported by different experimental observations and modelling of RRAM devices are presented with memory array level implementation. An insight into RRAM desired properties as synaptic element in neuromorphic computing platforms from material and algorithms viewpoint is also discussed with specific example in automatic sound classification framework.…

N° de réf. du vendeur LU-9789811569104

Titre
Emerging Non-volatile Memory Technologies
Auteur
Lew, Wen Siang
Éditeur
Springer Verlag, Singapore, SG
Année de publication
2021
État de l'article
New
Reliure
Hardback
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
981156910X
ISBN à 13 chiffres
9789811569104
Édition
1st ed. 2021.

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