FinFET modeling for integrated circuit simulation and design is based on the BSIM-CMG standard(Chinese Edition)

Langue : chinois

Edité par Machinery Industry Press, 2020

7111659813 / 9787111659815

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A propos de cet article

Language:Chinese.Paperback. Pub Date: 2020-10-01 Publisher: Machinery Industry Press As the feature size of integrated circuits enters the node below 28nm. the traditional planar MOSFET structure is no longer applicable. and the new three-dimensional transistor (FinFET) structure has gradually become Moore's Law An important guarantee for continuation.?This book starts with the principles and physical effects of the three-dimensional structure. and discusses in detail the background. principl.

N° de réf. du vendeur NS055257

Détails bibliographiques

Titre
FinFET modeling for integrated circuit simulation and design is based on the BSIM-CMG standard(Chinese Edition)
Auteur
YOU GAI XI XIN GE CHU HAN ( Yogesh . Singh . Chauhan )
Éditeur
Machinery Industry Press
Année de publication
2020
État de l'article
New
Reliure
paperback
Langue
chinois
ISBN à 10 chiffres
7111659813
ISBN à 13 chiffres
9787111659815

liu xing

Nanjing, JS, Chine

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