Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices (NATO Science Partnership Subseries: 3, 47)

Langue : anglais

Edité par Springer, 1998

0792350073 / 9780792350071

Série : Livre 16 sur 26 - Nato Science Partnership Subseries: 3

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AS NEW: Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices HC 1998 Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices (NATO Science Partnership Subseries: 3, 47) 1998th Edition by Eric Garfunkel (Editor), Evgeni Gusev (Editor), Alexander Vul' (Editor) OUR REFERENCE:128B3-0792350073-HC-2P2-lb-Wht-B45 DESCRIPTION An extrapolation of ULSI scaling trends indicates that minimum feature sizes below 0.1 mu and gate thicknesses of <3 nm will be required in the near future. Given the importance of ultrathin gate dielectrics, well-focused basic scientific research and aggressive development programs must continue on the silicon oxide, oxynitride, and high K materials on silicon systems, especially in the critical, ultrathin 1-3 nm regime. The main thrust of the present book is a review, at the nano and atomic scale, the complex scientific issues related to the use of ultrathin dielectrics in next-generation Si-based devices. The contributing authors are leading scientists, drawn from academic, industrial and government laboratories throughout the world, and representing such backgrounds as basic and applied physics, chemistry, electrical engineering, surface science, and materials science. Audience: Both expert scientists and engineers who wish to keep up with cutting edge research, and new students who wish to learn more about the exciting basic research issues relevant to next-generation device technology. Product details Publisher &#8207; : &#8206; Springer; 1998th edition (March 31, 1998) Language &#8207; : &#8206; English Hardcover &#8207; : &#8206; 518 pages ISBN-10 &#8207; : &#8206; 0792350073 ISBN-13 &#8207; : &#8206; 978-0792350071.

N° de réf. du vendeur 128B3-0792350073-HC-2P2-lb-Wht-B45

Titre
Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices (NATO Science Partnership Subseries: 3, 47)
Éditeur
Springer
Année de publication
1998
État de l'article
Very Good
Reliure
Hardcover
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
0792350073
ISBN à 13 chiffres
9780792350071
Série
Livre 16 sur 26: Nato Science Partnership Subseries: 3

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