Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing : Volume 611

Langue : anglais

Edité par Cambridge University Press, 2014

1107413168 / 9781107413160

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Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - As the feature size of microelectronic devices approaches the deep submicron regime, the process development and integration issues related to gate stack and silicide processing are key challenges. Gate leakage is rising due to direct tunneling. Power and reliability concerns are expected to limit the ultimate scaling of SiO2-based insulators to about 1.5nm. Gate insulators must not deleteriously affect the interface quality, thermal stability, charge trapping, or process integration. Metal gate materials and damascene gates are being investigated, in conjunction with the application of a high-permittivity gate insulator, to provide sufficient device performance at ULSI dimensions. The silicidation process is also coming under pressure. Narrow device widths and decreasing junction depths are making the formation of low-leakage, low-resistance silicide straps extremely difficult. Producing shallower junctions via ion implantation is inhibited by transient enhanced diffusion and low beam currents at low implantation energies. Gate stack and contact film effects, such as point defect injection, extended defect formation, and stress on ultrashallow junction formation must be considered.…

N° de réf. du vendeur 9781107413160

Titre
Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing : Volume 611
Auteur
L. A. Clevenger
Éditeur
Cambridge University Press
Année de publication
2014
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
1107413168
ISBN à 13 chiffres
9781107413160
Poids de l'article
374 grammes
Dimensions
229x152x14 mm

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