Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies

Langue : anglais

Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing Mai 2021, 2021

620279965X / 9786202799652

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The transistor development and its continuous down-scaling have improved during the last few decades the appearance of low-cost wireless communication systems targeting consumer products. The importance of device nonlinearity a new transistor model based on the independent representation of each of the transistor's nonlinear elements is developed with the aim of quantifying the individual contribution of each of the transistors nonlinear elements, to the total distortion.The design of next-generation 4G systems is one of the most active and important of research and development in wireless communication systems. The demand has been increased for low-cost RFIC designs. Many types of research are going on front end design of RF transceiver. The design of the receiver path has become a challenging aspect, because of increased interferences around the communication path. Operating frequency is higher in RFIC design. This makes the receiver path to experience the internal noises in the system. 156 pp. Englisch.…

N° de réf. du vendeur 9786202799652

Titre
Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies
Auteur
Nimushakavi Sn Murti Sarma
Éditeur
LAP LAMBERT Academic Publishing Mai 2021
Année de publication
2021
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
620279965X
ISBN à 13 chiffres
9786202799652
Poids de l'article
250 grammes
Dimensions
220x150x10 mm

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